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9月【第二周】發光方向文獻速覽

作者:東譜科技 瀏覽: 發表時間:2025-09-12 11:05:06



01

光緻變色效應協同空位工程提升二氧化碳光催化還原

本研究提出創新性設計:結合光緻變色效應與空位工程,構建 Z 型異質結。通過合成 BTO 與 Cl、I 共摻雜 BiOBr(BCBI)的複合催化劑(BTO-BCBI)實現其具可逆光緻變色性,在無犧牲劑條件下 CO 產率是BCBI 的 4.2 倍、BTO-BiOBr(BTO-BB)的 9.7 倍。通過實驗和理論計算表明,效率提升源於以下幾個原因:BTO 與 BCBI 界面抑製電荷複合;BTO-BCBI 光緻變色效應增強;Cl、I 摻雜增強光吸收及載流子傳輸;Ti³⁺與氧空位(XPS、EPR 證實)起關鍵作用; Z 型異質結的構建。本研究為CO₂光催化效率的提升提供了新方法。

https://doi.org/10.1002/adfm.202514966


02

氨基酸添加劑工程實現高效高亮度錫鹵化物鈣鈦礦近紅外發光二極管

本研究系統探究了兩種典型氨基酸——L-苯丙氨酸(Phe)和L-酪氨酸(Tyr)作為添加劑在調控異質結構錫鈣鈦礦發光層及其PeLEDs性能中的作用。研究表明,相較於Phe,Tyr因具有額外的還原性酚基團,能更有效地延緩錫鈣鈦礦的快速結晶、抑製Sn²⁺氧化,從而製備出高均勻性和高發光性能的發光層。更重要的是,Tyr分子可提高Sn²⁺核的電子密度,促進底層低維鈣鈦礦相的形成,從而提升器件中的電荷注入效率。優化後的Tyr基器件實現了13.2%的峰值外量子效率(EQE)和165 W sr⁻¹ m⁻²的最大輻射亮度,為錫基近紅外PeLEDs設立了新標杆。

https://doi.org/10.1002/adfm.202515841


03

通過逐步能量轉移實現圓偏振超長室溫磷光和多色餘輝

本研究通過向纖維素納米晶體(CNCs)與聚乙烯醇(PVA)的共組裝體系中摻入發色團,設計出一種新型手性磷光材料。PVA提供的剛性環境使其傾向於與發色團形成氫鍵網絡,從而顯著延長了磷光壽命(1.713秒)。CNC納米薄膜構建的手性空間誘導出具有圓偏振特性的光場。通過調控光子帶隙結構,該薄膜展現出優異的CPL性能和大不對稱因子(glum:−0.2541),並能通過結構溶脹與恢複實現可逆濕度響應。隨後,本研究采用階梯式能量轉移規則,引入中間體連接主體基質與染料客體以解決二者光譜重疊不足的問題,從而實現多色可調餘輝。這種階梯式設計有效提升了終端客體的壽命與CPL效應。最終,這種具備多模態轉換特性的CP-RTP納米薄膜,在防偽領域展現出實際應用價值。

https://doi.org/10.1002/adom.202501631


04
利用雙磷酸鹽的結構優勢,實現對多種功能的高效近紫外光

本研究在微波水熱合成的NaSrY(磷酸鹽)2(NSYP)納米磷光體中實現了Ce元素的小斯托克斯位移(ΔS = 0.53 eV),解決了這一技術瓶頸。該材料的內部量子效率高達98.5%(λex = 325 nm),同時具備優異的熱穩定性(423 K時強度保持78%)和出色的溶劑抗性(浸泡10天後仍保持82%)。將這種最優納米材料用作X射線成像的閃爍屏,可實現11.0 lp/mm的高空間分辨率和清晰的物體成像效果,其性能可與商用閃爍體(碘化銫:Tl)相媲美。基於激發強度比(EIR)技術的光學測溫實現了較高的相對靈敏度(SR-max=0.94%·K−1)。本研究展示了n-UV發光納米磷光體在X射線成像和光學測溫領域的迷人應用。這些發現還突顯了宿主結構在設計高質量Ce激活光學材料中的關鍵作用。

https://doi.org/10.26599/JAC.2025.922113


05

采用雙鎖定策略的準平面TADF發射器能夠有效地解決深藍色OLED

本研究通過將B-OH基團接枝到原型分子BOAC上,開發出新型溶液加工材料BOAC-OH。得益於O-H···O分子內氫鍵與B-C σ鍵的協同作用,BOAC-OH從高度扭曲構型轉變為準平面構型,從而實現顯著的藍移發射(波長低於440nm),並較BOAC提升了輻射躍遷效率。基於BOAC-OH的溶液加工OLED器件最大外量子效率達10.3%,深藍光發射峰值位於444 nm,對應色指數坐標(0.15,0.08),完美符合韓國國家電視系統委員會(NTSC)的藍光標準。該研究充分展現了雙鎖定策略在開發適用於溶液加工OLED的深藍TADF材料中的巨大應用價值。

https://doi.org/10.1039/D5TC02547H


06

用於防偽和熱響應閃爍體的0D混合鹵化銅異構體的熱誘導可逆相變和發光開關

本文報道了一種新型的0D雜化鹵化銅異構體——????-(ETPA)2Cu2I4(ETPA=乙基三丙基銨),該材料在加熱或冷卻處理時會呈現可逆結構相變和PL顏色切換特性。在298 K時,????-(ETPA)2Cu2I4顯示單帶藍色發射光譜且PLQY接近1。經加熱處理後,≈650nm處出現額外的熱激活低能發射帶,形成雙帶黃色發光。相反,這種黃色發光在冷卻過程中可逐漸恢複為原始藍色發光。通過原位光學與結構測量監測這兩種異構體間的動態互變過程,揭示了[Cu2I4]2−二聚體中存在兩個自陷發光態,其占據度高度依賴周圍分子環境和熱活化能。此外,材料在45次循環中保持穩定的結構與光學可逆性。值得注意的是,這種0D雜化鹵化銅異構體的可逆PL切換特性,使其成為抗偽鈔票和溫敏閃爍體等應用領域的理想候選材料。

https://doi.org/10.1002/lpor.202501538


07

一種新型的藍色熒光粉Ca3Gd2Si3O12:Ce3+用於植物生長和WLEDs

本研究提出了一種新型石榴石型藍色熒光粉Ca3Gd2Si3O12:Ce3+,通過固相反應合成。在356納米激發下,其發射出強度極高的藍光(峰值411納米),半高全寬達80.91納米,性能優於BaMgAl10O17:Eu2+等商用熒光粉。其發光特性與葉綠素吸收高度吻合,葉綠素a重疊效率達84.14 %,葉綠素b重疊效率達94.81 %。該熒光粉還展現出優異的熱穩定性(活化能0.296電子伏特;T50 = 387 K)。此外,當與紅/綠熒光粉集成到白光LED中時,Ca3Gd2Si3O12:Ce3+可提供暖白光(顯色指數CCT=4512K,CRI = 92.3),在植物生長和高品質照明應用中展現出多功能性。采用本研究藍色熒光粉的LED具有比普通照明LED更高的顯色指數(減少藍光傷害),且光譜更寬廣,相比傳統藍色植物LED更適合植物生長需求。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.08.191


08
通過短波紅外CuInSe2/CuInS2量子點驅動的光誘導活性聚合反應是一種高效的方法

本文報道了使用無鉛CuInSe2/CuInS2核殼量子點(QDs)來驅動高效的SWIR PET-RAFT聚合反應,其吸收起始波長可延伸至1100 nm。時間分辨光譜顯示,帶邊電子和陷阱態電子均可轉移至RAFT試劑。由於空穴局域化於銅態導緻的相對緩慢空穴轉移,可通過引入胺類物質作為空穴清除劑來加速。該反應展現出活化聚合的明確特征,並在1050 nm輻照條件下,於3毫米生物組織屏障中高效進行。

https://doi.org/10.1021/jacs.5c11312


09

基於原位聚合的大尺寸、快壽命熱激子有機閃爍體

本研究通過分別選擇極性相近的非晶態聚乙烯基甲苯(PVT)和熱激子熒光分子四-(4-溴苯)乙烯(TPE-4Br)作為基質和發光中心,利用原位聚合工藝製備了一種新型的、大尺寸(約191 cm³)、高透明度(透過率約88.3%)的有機閃爍體TPE-4Br@PVT。此外,該閃爍體同時表現出超快的輻射壽命(1.66/5.26 ns)和可觀的光產額(14443 photons/MeV)。該閃爍體不僅實現了高分辨率的X射線成像(13.9 lp/mm),還實現了創紀錄的快中子成像分辨率(2.03 lp/mm)。TPE-4Br@PVT的開發為輻射探測和成像領域提供了一種新的解決方案,其優越的性能有望在實際應用中得到進一步驗證和推廣。

https://doi.org/10.1002/adfm.202503688


10

可用於時間-溫度指示器的溫度門控光緻變色材料NaYTiO4:Bi3+

本研究提出了一種新型的溫度門控雙色光緻變色材料。以具有與固有深陷阱相關的天然藍色色心的 NaYTiO4為基質,摻入 Bi3+離子以形成極淺陷阱能級(100 - 230 K)以及相關的長波吸收色心。通過將這兩個色心與擴展的全光譜吸收相結合,NaYTiO4:Bi3+在低於 233 K時經紫外線照射會變為深灰色。隨著溫度升高,淺陷阱中的俘獲電子首先被釋放,顏色狀態變為淡黃色,直至在 573 K以上完全恢複為白色。熱激活電荷載流子的釋放與儲存時長和環境溫度呈正相關。我們首次在極低溫度下實現了基於光緻變色材料的 TTI 方法,這使得無需進一步的信息提取和轉換即可直接對低溫產品進行質量可視化管理。這項工作展示了光緻變色材料作為下一代智能 TTI 中先進信息記錄材料的巨大潛力。

https://doi.org/10.1007/s40843-025-3279-0


11

利用傳統光刻實現超高分辨率量子點發光二極管陣列

本研究成功開發了一種與傳統光刻工藝兼容的新型空穴傳輸層材料PF8Cz-X,實現了紅、綠、藍三色微米級QLED陣列的高效製備。該材料以化學穩定的哢唑基團替代傳統三苯胺(TPA)單元,並引入可交聯的乙烯基苯氧基側鏈,顯著提升了抗溶劑腐蝕性。研究團隊利用該材料製備的QLED陣列像素尺寸低至2微米,且器件效率與未圖案化器件相當:紅、綠、藍光的峰值外量子效率(EQE)分別達到16.5%、20.1%和12.7%。此工作實證了經典光刻技術在高分辨率QLED製造中的前景,為增強現實(AR)和虛擬現實(VR)等前沿顯示應用提供了新的的解決方案。未來,結合量子點直接光刻技術,有望進一步實現全彩色QLED顯示器的規模化生產。

https://doi.org/10.26599/NR.2025.94907407.


12
通過助劑輔助結晶實現高效且穩定的鐿摻雜銫鉛氯化物近紅外發光二極管

本文提出了一種添加劑輔助結晶策略,以控製摻鐿銫鉛氯化物鈣鈦礦薄膜的形成過程,從而實現高質量薄膜的製備。原位光緻發光測量表明,添加劑的引入有效地減緩了反應速率,導緻晶體生長緩慢,並優化了薄膜的形態。此外,添加劑在鈍化缺陷方面起著關鍵作用,顯著提高了薄膜的光學性能。因此,這種添加改進型器件的電緻發光性能有了顯著提升,能夠在 984 nm處實現穩定的光譜發射,其外部量子效率為 3.2%,工作時間長達 940 秒。這項研究不僅為推進鈣鈦礦在近紅外發光領域的應用提供了新的技術途徑,也為未來光電設備的設計和優化提供了有價值的見解。

https://doi.org/10.1002/lpor.202500757


13

Rb+共摻雜對 CsPbCl3:Yb3+鈣鈦礦粉末在可見光和近紅外區域光學性能的影響

本研究探討了一種通過單價陽離子替代來調節粉末狀微米級鹵化物鈣鈦礦光學特性的替代方法。通過固相反應法製備了一系列不同濃度的 CsPbCl3:10%Yb3+,x%Rb+(x = 5, 10, 20, 30, 40)樣品,並對其結構和光譜特性進行了分析。結果表明,用銣離子摻雜主體材料會顯著影響所研究材料的晶體結構質量和光譜特性。特別是,隨著主體材料中 Rb+離子濃度的增加,會出現不同類型的結構缺陷,從而改變基質和光學活性摻雜劑的發射帶強度。

https://doi.org/10.1039/D5DT01084E


14

基於錳摻雜的鑥鋁五氧化二磷熒光粉的時間分辨發光測量的溫度成像研究

本文提出了一種基於Mn4+摻雜的Lu3Al5O12熒光粉(LuAG)的時間分辨集成強度比(TRIIR)的溫度傳感方法,旨在提高光學溫度測量的溫度靈敏度。與基於 LuAG:Mn4+熒光壽命的測溫方法相比,其相對靈敏度(Sr )有了顯著提高。此外,通過改變實驗條件,其效果得到了進一步的增強。具體而言,在ΔtA=1.2ms和ΔtB=3.6ms實驗條件下,在 325 K 時,其Sr值達到 11.86% K−1,而在 310 K 時,溫度分辨率可達到 0.07 K。同時,通過降低(某參數),可以實現最優溫度測量範圍向高溫區的偏移。最後,借助熒光顯微鏡和 ICCD 相機,在鎳電路上驗證了基於 TRIIR 方法的 LuAG:Mn4+熒光粉的高空間分辨率(2.7 μm)溫度成像能力。這些結果表明,基於 TRIIR 溫度傳感方法的 LuAG:Mn4+熒光粉在未來的溫度成像應用中極具潛力。

https://doi.org/10.1002/lpor.202500246


15

紅色發光KSr6ScSi4O16:Eu3+熒光體用於白色LED和潛在指紋檢測

為推動固態照明與指紋識別技術發展,科研團隊通過固相合成法成功製備新型紅色熒光粉KSr6ScSi4O16:Eu3+。綜合表征分析(包括X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、光緻發光(PL)、衰減時間測量及熱穩定性測試)揭示了其卓越性能:在393 nm激發光下,該熒光粉呈現四個特征發射峰,其中最強峰位於613 nm處,歸因於Eu3+的5D0→7F2躍遷。Judd-Ofelt參數(Ω2,Ω4)證實Eu3+占據低對稱性位點。尤為關鍵的是,該材料展現出優異的熱穩定性,活化能僅為0.32 eV,在150°℃溫度下仍保持85%的發光強度。采用油胺(OAM)表面改性工藝既保留了發光特性,又實現了I-III級指紋特征的高對比度成像。封裝後的白色發光二極管(w-LED)具有93.6的顯色指數(Ra)和(0.335,0.338)的色度坐標,均處於白光區域。基於上述研究成果,KSr6ScSi4O16:Eu3+熒光粉在白色LED與指紋檢測領域展現出雙重應用潛力。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.09.007


16
Cs2Ba3(P2O7)2:Eu2+熒光粉展現藍綠色雙發射,適用於全光譜照明

本研究報道了一種新型高效率青色發光磷光材料Cs2Ba3(P2O7)2:Eu2+,該材料可通過紫外區域高效激發,分別在418 nm和530 nm處產生深藍光和綠光發射。基於晶體結構、光譜表征和熒光壽命,我們系統探討了Eu2+的占據情況。此外,溫度依賴性發射光譜表明,該Cs2Ba3(P2O7)2:0.08Eu2+磷光材料具有普遍的熱猝滅特性但具有良好光譜穩定性,其發光強度從298 K降至423 K時僅剩初始強度的30%。特別關注的是Cs2Ba3(P2O7)2:Eu2+熒光體可能實現一箭雙雕的功能:在提供WLEDs綠色成分的同時,彌補其深紫色光譜缺口,這為提升WLEDs的全光譜照明性能具有巨大潛力。通過將製備的Cs2Ba3(P2O7)2:0.08Eu2+熒光體與商用藍/紅熒光體結合在365 nm LED芯片上獲得的WLEDs,可發出全光譜白光,其顯色指數高達93.7,相關色溫低至5427 K,這充分證明了其作為全光譜健康照明用熒光體的潛在應用價值。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.09.040


17

實現了源自 Mg3Ga2SnO8:Cr3+ 中 Cr3+ 離子雙位點占據的可調諧超寬帶近紅外發射

本研究報道了一種通過傳統高溫固相法合成的近紅外 Mg3Ga2SnO8:Cr3+(MGS:Cr3+)熒光粉。在 450 nm激發下,MGS:Cr3+展現出強烈的可調諧超寬帶近紅外發射。通過調整 Cr3+離子的濃度,觀察到光譜的半峰全寬(FWHM)從 151 nm拓寬至 223 nm,而峰值波長從 715 nm移至 833 nm。晶體結構分析、低溫光譜和熒光衰減曲線表明,這些迷人的可調諧特性源於 Cr3+離子的雙位點占據。此外,所展示的熒光粉還表現出令人印象深刻的內部量子效率(IQE)。其外量子效率高達 57.8%,並且具有出色的光緻發光熱穩定性(I423 K/I303 K = 50%)。此外,基於 MGS:0.08Cr³⁺和 MGS:0.02Cr³⁺樣品製備的近紅外聚合物電緻發光二極管(NIR pc-LED)器件在夜視成像、無創檢測和植物生長照明應用方面展現出了巨大潛力。

https://doi.org/10.1039/D5QI00395D


18

通過協同激發波長和IVCT態位置實現紅色發射的抗熱猝滅性能

本文通過整合 Judd-Ofelt (J-O) 理論揭示了一系列 ANbO4:0.5% Pr3+(A = Lu、La、Y、Sc)熒光粉在超敏躍遷和發光特性方面的差異。提出了通過精確控製激發波長和價間電荷遷移態(IVCT)的位置,將Pr3+活化的铌酸鹽從常規熱猝滅轉變為顯著的抗熱猝滅。其中,ScNbO4:0.5% Pr3+熒光粉表現出從264 nm激發下的熱猝滅到275 nm激發下的抗熱猝滅的明顯轉變,1D2→3H4發射強度在373 K時上升到室溫的118.17%。值得注意的是,IVCT狀態位置與抗熱猝滅程度之間的關系為壓力依賴的發光行為提供了新的見解。這項工作為多模態光學傳感器設備、可視化應用和安全標誌中先進材料的開發提供了寶貴的設計原則。

https://doi.org/10.1002/lpor.202501240


19

在具有高存儲容量的 Mg3Y2Ge3O12石榴石中摻雜 Pr3+ 或/和 Tb3+ 設計雙發光中心長餘輝發光材料應用

開發具有出色存儲容量的 X 射線充電長餘輝發光(LPL)熒光粉仍是一項重大挑戰。這些熒光粉在白色發光二極管(w-LED)、多模式防偽、信息存儲和 X 射線成像等方面具有多種功能應用。在此,通過結合精細的化學位移模型、光譜學和熱釋光(TL)曲線,構建並驗證了關於 Mg3Y2Ge3O12:Ln3+(MYGO:Ln,Ln = Pr 或/和 Tb)熒光粉的晶格參照和真空參照結合能(HRBE 和 VRBE)方案。MYGO:Pr,Tb 避免了藍光區域的再吸收問題,並且與 w-LED 應用中的藍色熒光粉非常匹配。MYGO:Pr,Tb 經 X 射線充電(Xc)後,其熱釋光強度與商用 SrAl2O4:Eu2+,Dy3+和 BaFBr(I):Eu2+的比值分別為 1.517 和 1.435,且 50%的載流子在超過 1000 小時後仍能保持。最後,MYGO 系列熒光粉成功應用於多模式防偽、信息存儲和 X 射線成像。

https://doi.org/10.1039/D4QI02823F


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