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高性能緊湊型皮秒半導體光源Pina

Pina是東譜科技面向高端光學應用推出的新一代緊湊型半導體光源，它們均包含基於半導體激光器和UVLED技術的兩個系列。皮秒秒脈衝半導體光源，具有皮秒秒級脈衝寬度、高單脈衝能量、高瞬態功率等特點，常用於研究光催化,太陽能電池,熒光粉,染料,有機半導體,鈣鈦礦,量子點等,可實現時間分辨光譜,激發態壽命,瞬態光電特性等測試功能。

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產品簡介

Pina是東譜科技面向高端光學應用推出的新一代緊湊型半導體光源，它們均包含基於半導體激光器和UVLED技術的兩個系列。這些產品，從頻域上，覆蓋了紫外–可見–近紅外的寬波段；從脈衝寬度上，覆蓋了皮秒、納秒、微秒和連續的工作模式。同時，均搭載同步觸發輸出和靈活的外部觸發輸入功能，既可以作為單獨激光模組使用，靈活搭建空間光路，實現客戶個性化的需求；也可以與各種光譜儀和光纖系統進行耦合。Pina系列是皮秒半導體光源，具有皮秒級超窄工作脈衝、高重複頻率、高瞬態功率等特點，可實現時間分辨光譜、激發態壽命、瞬態光電導等測試功能，常用於研究熒光粉、染料、有機半導體、鈣鈦礦、量子點等。

產品特點

□ 皮秒級脈衝寬度

□ 高峰值功率

□ 工作頻率可調

□ 高Q驅動模塊

□ 可視界面，易於操作

□ 同步出發輸出

□ 光纖耦合

□ 兼容外部觸發

□ 覆蓋紫外-可見-近紅外波段

□ 體積緊湊

產品應用

□ 時間分辨熒光光譜

□ 瞬態光電流/光電壓

□ 激發態壽命

□ 穩態熒光光譜

□ 光催化

□ 熒光成像

□ 激光測距

□ 空間光路搭建等

□ 空間光路搭建等提供皮秒級窄脈衝、高重複頻率和同步觸發輸出

□ 空間光路搭建等可與光譜儀、光纖系統和外部觸發設備耦合

□ 空間光路搭建等用於TCSPC、TRPL、壽命測量和瞬態光電實驗


產品特點

脈衝重複頻率

MHz

10

5

2

1

kHz

500

200

100

50

脈衝周期

ns

100

200

500

1000

us

2

5

10

20

功率等級

Class 3 （建議所有產品均按此等級進行防護

供電

電壓：15V，電流：1.2A

觸發輸入

SMA VIL=0.4V（典型），VIH=3.3V（典型）

觸發輸出

SMA,VPP=800mV（典型）

聯鎖輸入

SMA

鑰匙開關

有

底部裝配孔

M6*1，M4*2

工作溫度

-10℃ to 45℃（不結露）

存儲溫度

-25℃ to 70℃

冷卻

自然冷卻

尺寸

整體：長150mm *寬75mm * 高60mm       圓筒：Φ30mm×38mm

重量

685g

選配件

(1) 符合SMA/FC結構標準的光纖耦合件

(2) 激光器安裝支架

專業名詞解析

皮秒脈衝半導體光源： 皮秒脈衝半導體光源提供皮秒級窄脈衝，常作為TCSPC和TRPL系統激發源。脈寬、重複頻率和抖動決定可測壽命下限；

時間相關單光子計數TCSPC： TCSPC記錄光子到達相對激發脈衝的時間並累積成衰減曲線。它靈敏度高，但需要控製計數堆積並正確處理儀器響應函數；

重複頻率： 重複頻率表示單位時間內脈衝數量。它影響平均功率、熱負載、采樣速度和壽命實驗中的周期重疊；

時間抖動： 時間抖動是脈衝或觸發到達時間的隨機波動。抖動會展寬系統響應並限製快過程測量；

光纖輸出： 光纖輸出便於與光譜儀、顯微鏡或封閉樣品倉耦合，但光纖端面、彎折和數值孔徑會影響功率與光斑；

外部調製： 外部調製通過TTL、模擬信號或機械調製控製光源輸出。它用於鎖相檢測、瞬態響應和同步掃描；

計數堆積： 計數堆積發生在單個激發周期中多個光子到達而系統隻記錄早到光子時，會使衰減曲線偏向短壽命。控製檢測計數率是TCSPC實驗的基本要求；

峰值功率與平均功率： 峰值功率反映脈衝瞬時強度，平均功率反映長時間能量輸入。兩者應同時報告，避免誤判樣品熱效應或非線性響應。

常見問題

高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina是皮秒半導體光源，用於提供皮秒級窄脈衝、高重複頻率和同步觸發輸出。理解該設備時，重點關注皮秒脈衝半導體光源、時間相關單光子計數TCSPC、重複頻率、時間抖動、光纖輸出等概念。TCSPC和TRPL平台越來越需要緊湊、可觸發、多波長的皮秒激發源來替代大型激光系統。

1. 問：高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina是什麼設備，主要解決什麼測試問題？

答：Pina是緊湊型皮秒半導體光源，官網資料顯示其面向時間分辨光譜、激發態壽命和瞬態光電導等應用。提供皮秒級窄脈衝、高重複頻率和同步觸發輸出。

2. 問：高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina在當前科研熱點中主要關注哪些數據？

答：TCSPC和TRPL平台越來越需要緊湊、可觸發、多波長的皮秒激發源來替代大型激光系統。數據閱讀時建議把皮秒脈衝半導體光源、時間相關單光子計數TCSPC、重複頻率與皮秒光源條件對應起來；若涉及時間抖動或光纖輸出，還應記錄校準狀態、空白/對照結果和采集窗口，便於不同批次結果比較。

3. 問：皮秒脈衝半導體光源在該設備測試中如何定義和使用？

答：皮秒脈衝半導體光源提供皮秒級窄脈衝，常作為TCSPC和TRPL系統激發源。脈寬、重複頻率和抖動決定可測壽命下限。在高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina相關實驗中，該術語通常用於限定測試對象、信號來源或結果判讀邊界，需要與樣品結構、實驗條件和原始記錄一起說明。

4. 問：時間相關單光子計數TCSPC和重複頻率會如何影響實驗結果？

答：TCSPC記錄光子到達相對激發脈衝的時間並累積成衰減曲線。它靈敏度高，但需要控製計數堆積並正確處理儀器響應函數。重複頻率表示單位時間內脈衝數量。它影響平均功率、熱負載、采樣速度和壽命實驗中的周期重疊。兩者共同影響結果判讀，不能隻比較最終數值。

5. 問：開展皮秒半導體光源測試前，哪些條件必須提前確認？

答：應確認樣品形態、目標變量、環境條件、連接或耦合方式、校準記錄和數據輸出格式。對於高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina，還需重點核對時間抖動、光纖輸出以及儀器狀態是否穩定。

6. 問：如何提高高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina數據的重複性？

答：建議固定樣品製備批次、裝樣方式、光路或電學連接、采集參數和數據處理流程；同時保留空白、對照和重複測量結果，避免隻用單次數據支撐結論。

7. 問：時間抖動相關結果為什麼容易誤判？

答：時間抖動是脈衝或觸發到達時間的隨機波動。抖動會展寬系統響應並限製快過程測量。誤判常來自本底信號、環境漂移、連接狀態、模型假設或樣品狀態變化，應通過空白測試、條件反轉和重複采集排查。

8. 問：圍繞光纖輸出，怎樣設計更容易複核的實驗？

答：先固定皮秒光源相關基礎條件，再隻改變一個目標變量；若結果依賴模型，應報告模型假設、擬合殘差和參數不確定度。

9. 問：研究人員解讀高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina結果時，如何避免過度結論？

答：應先確認測試條件是否滿足方法假設，再結合外部調製、計數堆積和獨立表征交叉判斷。單一數值、單張圖或一次測試不足以支持完整機理結論。

10. 問：科研用戶閱讀高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina相關數據時，應優先關注哪些信息？

答：應優先關注皮秒光源、TCSPC、皮秒脈衝半導體光源、時間相關單光子計數TCSPC和重複頻率對應的測試條件、原始信號、校準方式和誤差來源。隻有這些信息完整，數據才便於複核和比較。

產品關鍵詞：皮秒半導體光源,高性能緊湊型皮秒半導體光源 Pina,Pina,皮秒光源,TCSPC,TRPL,外部觸發,皮秒脈衝半導體光源,時間相關單光子計數TCSPC,重複頻率,時間抖動,光纖輸出,外部調製,計數堆積,峰值功率與平均功率,Pina測試原理,Pina常見問題,Pina數據分析

PLD系列

PLD系列（405-1550nm）

型號

峰值波長

[nm]

光譜線寬

[FWHM,nm]

脈衝寬度 [FWHM,ps]

脈衝能量

(pJ)

平均功率 [@10MHz,mW]

PLD 405A

405

＜10

＜200

20

0.2

PLD 405B

405

70

0.7

PLD 450A

450

＜10

＜200

16

0.16

PLD 450B

450

320

3.2

PLD 515

515

＜10

＜200

7

0.07

PLD 520A

520

＜10

＜200

4

0.04

PLD 520B

520

16

0.16

PLD 635A

635

＜10

＜200

5

0.05

PLD 635B

635

140

1.4

PLD 650A

650

＜10

＜200

20

0.2

PLD 650B

650

40

0.4

PLD 660

660

＜10

＜200

40

0.4

PLD 680

680

＜10

＜200

1.8

0.018

PLD 780A

780

＜10

＜200

2

0.02

PLD 780B

780

16

0.16

PLD 808A

808

＜10

＜200

10

0.1

PLD 808B

808

60

0.6

PLD 820

820

＜10

＜200

40

0.4

PLD 830A

830

＜10

＜200

10

0.1

PLD 830B

830

42

0.42

PLD 850A

850

＜10

＜200

100

1

PLD 850B

850

200

2

PLD 905

905

＜10

＜200

10

0.1

PLD 980A

980

＜10

＜200

40

0.4

PLD 980B

980

100

1

PLD 1064A

1064

＜10

＜200

10

0.1

PLD 1064B

1064

40

0.4

PLD 1490

1490

＜10

＜200

1

0.01

PLD 1550

1550

＜10

＜200

1

0.01


PLED系列

PLED系列（255-420nm）

型號

峰值波長

[nm]

光譜線寬

[FWHM,nm]

脈衝寬度 [FWHM,ps]

脈衝能量

(pJ)

平均功率 [@10MHz,mW]

PLED255

255

＜15

＜200

0.1

0.001

PLED265A

265

＜15

＜200

0.1

0.001

PLED265B

0.4

0.004

PLED280

280

＜15

＜200

0.4

0.004

PLED310A

310

＜15

＜200

0.4

0.004

PLED310B

310

＜15

＜200

10

0.1

PLED340A

340

＜15

＜200

0.3

0.003

PLED340B

340

13

0.13

PLED365A

365

＜15

＜200

2

0.02

PLED365B

365

400

4

PLED375A

375

＜15

＜200

4

0.04

PLED375B

375

44

0.44

PLED395A

395

＜15

＜200

8

0.08

PLED395B

395

440

4.4

PLED405A

405

＜15

＜200

220

2.2

PLED405B

405

232

2.32

PLED420

420

＜15

＜200

208

2.08


高性能緊湊型皮秒半導體光源Pina
Pina是東譜科技面向高端光學應用推出的新一代緊湊型半導體光源，它們均包含基於半導體激光器和UVLED技術的兩個系列。皮秒秒脈衝半導體光源，具有皮秒秒級脈衝寬度、高單脈衝能量、高瞬態功率等特點，常用於研究光催化,太陽能電池,熒光粉,染料,有機半導體,鈣鈦礦,量子點等,可實現時間分辨光譜,激發態壽命,瞬態光電特性等測試功能。
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