圖片展示
  • 中文
  • English

推薦設備

圖文
詳情

飛行時間法遷移率測量儀 FlyTOF

飛行時間法遷移率測量儀FlyTOF是東譜科技HiTran瞬態綜合光電特性測量平台中的重要成員。該系統利用飛行時間法（Time-Of-Flight，TOF）測量半導體材料的遷移率以及相關的光電特性，廣泛適用於各類半導體材料，如矽基半導體、第二代半導體、第三代寬帶隙半導體、有機半導體、鈣鈦礦半導體、量子點半導體、二維材料半導體、金屬-有機框架（MOF）、共價有機框架（COF）等。該設備具備瞬態光電流測量、電子遷移率測量、空穴遷移率測量、二維平面的成像、水平載流子遷移率測量等功能。

附件下載


產品關鍵詞：載流子遷移率測量系統/測試、電子遷移率測試、空穴遷移率測試、電子遷移率檢測、半導體測試儀、半導體參數分析儀、半導體器件參數測試儀、渡越時間測量、飛行時間測量儀、少數載流子壽命測試儀、載流子壽命測試儀器、遷移率壽命積測量、少數載流子測試、水平載流子測試儀、橫向載流子測試、載流子濃度測量儀、少子壽命測試儀


Key words: Carrier mobility Measurement system/Test, electron mobility test, Hole mobility Test, electron mobility test, semiconductor tester, semiconductor parameter analyzer, semiconductor device parameter tester, transit time measurement, time of Flight measurement, minority carrier life tester, carrier life testing instrument, Mobility lifetime product measurement, minority carrier test, Level Carrier tester, transverse carrier tester, carrier concentration tester, minority lifetime tester


產品簡介

最早於2012年為行業提供搭建式系統，並於2019年全新推出的業內首款自動化、集成化的飛行時間法遷移率測量商業化設備。

FlyTOF飛行時間法遷移率測量儀是東譜科技HiTran瞬態綜合光電特性測量平台中的重要成員。該系統利用飛行時間法（time-of-flight，TOF）測量半導體材料的遷移率以及相關的光電特性，廣泛適用於各類半導體材料，如矽基半導體、第二代半導體、第三代寬帶隙半導體、有機半導體、鈣鈦礦半導體、量子點半導體、二維材料半導體、金屬-有機框架（MOF）、共價有機框架（COF）等。FlyTOF基於我司的MagicBox主機研製而成，配備便捷的上位機控製和數據測量軟件，可助力客戶進行快速、準確的測量。FlyTOF是東譜科技源頭研發產品，是業內首款自動化、集成化的飛行時間法遷移率測試商業化設備。

遷移特性是半導體最為基礎的性質之一，是半導體在電子學和光電子學等領域進行應用的基礎。半導體的遷移率定義為單位電場下載流子的平均漂移速度。TOF遷移率測試方法直接由遷移率的定義發展而來。 相比於一些間接的遷移率測試方法，如空間電荷限製電流（SCLC）法等，TOF的方法被認為是最接近“真實”遷移率的一種測量方法。通過TOF瞬態光電流信號的分析，可以得到電子遷移率、空穴遷移率等參數；用戶還可以利用這些數據，結合材料的物理模型進行分析，得到雜質濃度、缺陷、能帶混亂度、電荷跳躍距離等參數。

作為TOF遷移率測試方法商業化應用的先行者，東譜科技已攜手客戶廣泛探索了FlyTOF在有機半導體、矽基半導體、鈣鈦礦半導體、二維材料、共價有機框架等領域的應用。東譜期待與您共同開拓FlyTOF更多的應用領域。

產品特點

□ 載流子遷移率測量值覆蓋10-9~106 cm2/(V.s)；

□ 業內首款高度集成化、自動化TOF商業設備；

□ 電子/空穴遷移率；

□ 水平/表面電子/空穴遷移率；

□ 載流子二維成像Mapping；

□ 基於TOF瞬態光電流；

□ 專業的信號調教，電磁兼容噪聲小；

□ 行業最先進的TOF測試功能；

□ 軟件自動控製，測試快速便捷；

□ 快速換樣裝置，惰性氣體氛圍測試；

□ 可實現寬溫度範圍的變溫測試（選配）；

□ 可通過可視化系統看到光斑照射情況；

□ 可靈活耦合各種類型的激發光源。

產品功能

□ 飛行時間法瞬態光電流測量

□ 半導體材料電子遷移率測量

□ 半導體材料空穴遷移率測量

□ 載流子濃度測量

□ 載流子壽命測量

□ 可選變溫測量

□ 可選Lateral-TOF測試功能及附件

□ 可選配TOF二維掃描（mapping）功能及附件

功能說明：

TOF+Mapping

標配TOF：縱向TOF；

Mapping功能：可以對TOF的信號進行二維平面的成像；

Lateral-TOF功能：可以以水平的方式對樣品的遷移率進行測試。

產品應用

□ 有機半導體□ 量子點半導體□ 元素半導體（Si、Ge等）□ 金屬-有機框架（MOF）□ 二維材料
□ 寬帶隙第三代半導體□ 鈣鈦礦材料□ 化合物半導體（InGaAs等）□ 共價有機框（COF）□ 其它半導體材料

規格型號

規格配置高性能版（E300）標配版（S300）經濟版（W300）
TOF標配功能√√√
Mapping模塊可選可選×
Lateral-TOF可選可選×

* Lateral-TOF：

□ 包含顯微系統、探針系統、針對Lateral-TOF的光路及電子部件系統等，具有非標性質，詳情請與銷售專員聯系。

* 可選配置/部件：

□ 337nm 納秒氣體激光器；

□ 532nm納秒調Q固體激光器；

□ 355 nm納秒調Q固體激光器；

□ Nd:YAG激光器 1064 nm、532 nm、355 nm、266 nm；

□ 可調諧 OPO 激光器，波長範圍：210-2400 nm。

測試樣例






飛行時間法遷移率測量儀FlyTOF


▎載流子遷移率

  • 遷移率是衡量半導體性能的重要參數，它決定半導體材料的導電特性，也影響半導體的各種光電性能，如發光、光伏、時間響應特性等。在半導體研究及應用領域，針對載流子遷移率特性及其測量方法的研究，有著非常廣泛的關注。
  • 目前行業報道的載流子遷移率測量方法包括：
  1. Time-of-flight (TOF)：飛行時間法;
  2. Drift mobility：漂移遷移率;
  3. Bulky mobility：體遷移率;
  4. Hall effect：霍爾效應;
  5. Band mobility：帶遷移率;
  6.  Field transistor：場效應晶體管;
  7.  Mobility at 2D interface and at high current densities：二維界面處在高電流密度下的遷移率;
  8. Microwave and Terahertz：微波和太赫茲;
  9. Optical method：光學方法;
  10. Space charge limited current (SCLC)：空間電荷限製電流;
  11.  Mobility based on space charge limited current assumption：基於空間電荷限製電流假設的遷移率 .
  • 上述每種方法都有其特點，比如，霍爾效應法主要適用於較大的無機半導體載流子遷移率的測量；飛行時間（TOF）法遷移率的測量範圍廣，特別是在有機半導體材料等低遷移率的測試場景中有無可替代的作用。



▎TOF工作原理

  • Steps of a TOF test

  1. Light excitation; Photo-carriers are generated near the light incidence electrode ;
  2. Photo-carriers drift to the counter electrode under the bias;
  3. Photo-current is formed and detected.
  • TOF測試方法

在眾多的遷移率測試方法中，飛行時間（TOF）法被認為是最接近遷移率本身特性的一種測量方法。因為半導體的遷移率定義為載流子在電場下的平均漂移速度。而TOF的遷移率測試方法，是直接從半導體遷移率定義出發發展的測量方法。


                 載流子遷移率：單位電場下載流子的平均漂移速度。




▎TOF技術曆史背景

  • 1957年，Spear 就開始利用TOF的技術研究硒半導體的遷移率

  • 1960年，Kepler和LeBlanc等人就利用TOF的技術研究蒽基有機半導體的性質


  • Since 1950s, time-of-flight has always been the key method to measure mobility of semiconductors/insulators until now.
  • If we would like to achieve the drift and bulky mobility, TOF seems to be the only choice.
  • The mobility from TOF is closest to the mobility definition (mean drift velocity per unitary electric field).

飛行時間法遷移率測量儀 FlyTOF
飛行時間法遷移率測量儀FlyTOF是東譜科技HiTran瞬態綜合光電特性測量平台中的重要成員。該系統利用飛行時間法（Time-Of-Flight，TOF）測量半導體材料的遷移率以及相關的光電特性，廣泛適用於各類半導體材料，如矽基半導體、第二代半導體、第三代寬帶隙半導體、有機半導體、鈣鈦礦半導體、量子點半導體、二維材料半導體、金屬-有機框架（MOF）、共價有機框架（COF）等。該設備具備瞬態光電流測量、電子遷移率測量、空穴遷移率測量、二維平面的成像、水平載流子遷移率測量等功能。
長按識別二維碼查看詳情
複製產品鏈接
長按圖片保存/分享
詢盤

谘詢表單：

  • 請輸入驗證碼

谘詢內容：

你還沒有添加任何產品

加入成功

飛行時間法遷移率測量儀 FlyTOF

立即預約
詢盤

谘詢表單：

  • 請輸入驗證碼

谘詢內容：

你還沒有添加任何產品

加入成功
圖片展示

首頁      產品中心      東譜實驗室      解決方案      新聞資訊     關於我們      聯系我們

電話：020-66834066 / 18565438025
郵箱：info@orientalspectra.com
網址：www.orientalspectra.com
地 址：廣州市天河區白沙水路長興創興港5棟

Copyright @ Oriental Spectra All Rights Reserved

粵ICP備18054769號

圖片展示
在線谘詢

您好，請點擊在線客服進行在線溝通！

聯系方式
聯系電話
020-66834066
上班時間
周一到周五
電子郵箱
info@orientalspectra.com
掃一掃二維碼
二維碼
添加工程師
添加微信好友，詳細了解產品
使用企業微信
“掃一掃”加入群聊
複製成功
添加微信好友，詳細了解產品
我知道了