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微秒脈衝半導體光源Mic

微秒脈衝半導體光源，具有納秒級脈衝寬度、高單脈衝能量、高瞬態功率等特點，常用於研究光催化,太陽能電池,熒光粉,染料,有機半導體,鈣鈦礦,量子點等,可實現時間分辨光譜,激發態壽命,瞬態光電特性等測試功能。微秒脈衝半導體光源，工作在脈衝狀態，具有平均功率高、頻率可調等優點

產品簡介

Mic是東譜科技面向高端光學應用推出的新一代緊湊型半導體光源，它們均包含基於半導體激光器和UVLED技術的兩個系列。這些產品，從頻域上，覆蓋了紫外–可見–近紅外的寬波段；從脈衝寬度上，覆蓋了皮秒、納秒、微秒和連續的工作模式。同時，均搭載同步觸發輸出和靈活的外部觸發輸入功能，既可以作為單獨激光模組使用，靈活搭建空間光路，實現客戶個性化的需求；也可以與各種光譜儀和光纖系統進行耦合。Mic系列是微秒脈衝半導體光源，工作在脈衝狀態，具有平均功率高、頻率可調等優點，可用於熒光光譜、熒光量子效率、磷光、探測器響應特性測試等應用場景。

產品特點

□ 覆蓋紫外-可見-近紅外波段；

□ 高平均功率；

□ 可視界面，易於操作；

□ 體積緊湊；

□ 良好的穩定性；

□ 頻率可調；

□ 同步觸發輸出；

□ 兼容外部觸發；

□ 光纖耦合；

□ 提供微秒級脈衝激發，便於控製平均功率和熱負載；

□ 支持與光譜儀、光纖系統和同步采集設備耦合；

□ 可用於磷光、長餘輝、慢瞬態光電和光化學響應研究。

產品應用

□ 熒光光譜	□ 磷光壽命
□ 熒光量子產率	□ 磷光時間分辨光譜
□ 探測器響應	□ 熒光成像
□ 光緻穩定性	□ 空間光路搭建等

產品規格

功率等級	Class 3（建議所有產品均按此等級進行防護）
供電	電壓：15V，電流：1.2A
觸發輸入	SMA，VIL = 0.4V (典型) ，VIH = 3.3V (典型)
觸發輸出	SMA，VPP = 800mV (典型)
聯鎖輸入	SMA
鑰匙開關	有
底部裝配孔	M61，M42
工作溫度	-10 °C to 45 °C (不結露)
存儲溫度	-25 °C to 70 °C
冷卻	風冷
尺寸	整體：150mm長75mm寬60mm高圓筒：∅30mm x 38mm
重量	685g
選配件	(1) 符合SMA/FC結構標準的光纖耦合件 (2) 激光器安裝支架

專業名詞解析

微秒脈衝： 微秒脈衝持續時間位於微秒量級，適合長壽命發光、光化學調製和慢光電響應研究；

準連續激發： 準連續激發使用較長脈衝或較高占空比模擬連續照明，同時保留觸發控製能力。需關注平均功率和熱積累；

占空比： 占空比是脈衝周期內高電平持續時間占比。它影響平均功率、樣品熱負載和光化學累積效應；

同步觸發： 同步觸發用於讓光源、探測器和采集系統在同一時間基準下工作。瞬態實驗中觸發穩定性直接影響時間分辨；

峰值功率與平均功率： 峰值功率反映脈衝瞬時強度，平均功率反映長時間能量輸入。兩者應同時報告，避免誤判樣品熱效應或非線性響應；

熱管理： 熱管理用於控製光源芯片、驅動器或樣品因光照產生的溫升。溫度變化會改變輸出功率、波長和樣品狀態；

外部調製： 外部調製通過TTL、模擬信號或機械調製控製光源輸出。它用於鎖相檢測、瞬態響應和同步掃描；

長壽命發光： 長壽命發光包括磷光、延遲熒光和長餘輝等過程，時間尺度可從微秒到秒級。激發脈衝、背景和采集窗口會影響結果。

常見問題

微秒脈衝半導體光源 Mic是微秒脈衝半導體光源，用於提供微秒級脈衝激發，便於控製平均功率和熱負載。理解該設備時，重點關注微秒脈衝、準連續激發、占空比、同步觸發、峰值功率與平均功率等概念。室溫磷光、長餘輝材料和慢光電響應研究需要比納秒光源更長、熱負載更可控的脈衝激發。

1. 問：微秒脈衝半導體光源 Mic是什麼設備，主要解決什麼測試問題？

答：Mic是微秒脈衝半導體光源，用於長壽命發光、慢光電響應、光化學調製和準連續激發實驗。提供微秒級脈衝激發，便於控製平均功率和熱負載。

2. 問：微秒脈衝半導體光源 Mic在當前科研熱點中主要關注哪些數據？

答：室溫磷光、長餘輝材料和慢光電響應研究需要比納秒光源更長、熱負載更可控的脈衝激發。數據閱讀時建議把微秒脈衝、準連續激發、占空比與微秒脈衝條件對應起來；若涉及同步觸發或峰值功率與平均功率，還應記錄校準狀態、空白/對照結果和采集窗口，便於不同批次結果比較。

3. 問：微秒脈衝在該設備測試中如何定義和使用？

答：微秒脈衝持續時間位於微秒量級，適合長壽命發光、光化學調製和慢光電響應研究。在微秒脈衝半導體光源 Mic相關實驗中，該術語通常用於限定測試對象、信號來源或結果判讀邊界，需要與樣品結構、實驗條件和原始記錄一起說明。

4. 問：準連續激發和占空比會如何影響實驗結果？

答：準連續激發使用較長脈衝或較高占空比模擬連續照明，同時保留觸發控製能力。需關注平均功率和熱積累。占空比是脈衝周期內高電平持續時間占比。它影響平均功率、樣品熱負載和光化學累積效應。兩者共同影響結果判讀，不能隻比較最終數值。

5. 問：開展微秒脈衝半導體光源測試前，哪些條件必須提前確認？

答：應確認樣品形態、目標變量、環境條件、連接或耦合方式、校準記錄和數據輸出格式。對於微秒脈衝半導體光源 Mic，還需重點核對同步觸發、峰值功率與平均功率以及儀器狀態是否穩定。

6. 問：如何提高微秒脈衝半導體光源 Mic數據的重複性？

答：建議固定樣品製備批次、裝樣方式、光路或電學連接、采集參數和數據處理流程；同時保留空白、對照和重複測量結果，避免隻用單次數據支撐結論。

7. 問：同步觸發相關結果為什麼容易誤判？

答：同步觸發用於讓光源、探測器和采集系統在同一時間基準下工作。瞬態實驗中觸發穩定性直接影響時間分辨。誤判常來自本底信號、環境漂移、連接狀態、模型假設或樣品狀態變化，應通過空白測試、條件反轉和重複采集排查。

8. 問：圍繞峰值功率與平均功率，怎樣設計更容易複核的實驗？

答：先固定微秒脈衝相關基礎條件，再隻改變一個目標變量；若結果依賴模型，應報告模型假設、擬合殘差和參數不確定度。

9. 問：研究人員解讀微秒脈衝半導體光源 Mic結果時，如何避免過度結論？

答：應先確認測試條件是否滿足方法假設，再結合熱管理、外部調製和獨立表征交叉判斷。單一數值、單張圖或一次測試不足以支持完整機理結論。

10. 問：科研用戶閱讀微秒脈衝半導體光源 Mic相關數據時，應優先關注哪些信息？

答：應優先關注微秒脈衝、長壽命發光、微秒脈衝、準連續激發和占空比對應的測試條件、原始信號、校準方式和誤差來源。隻有這些信息完整，數據才便於複核和比較。

產品關鍵詞：微秒脈衝半導體光源,微秒脈衝半導體光源 Mic,Mic,微秒脈衝,長壽命發光,占空比,熱管理,準連續激發,同步觸發,峰值功率與平均功率,外部調製,Mic測試原理,Mic常見問題,Mic數據分析

MLD系列

MLD系列（405-1550 nm）
型號	峰值波長 [nm]	光譜線寬 [FWHM,nm]	平均功率 [@穩態,mW]
MLD 405A	405	＜10	100
MLD 405B	405	＜10	350
MLD 450A	450	＜10	80
MLD 450B	450	＜10	1600
MLD 515	515	＜10	35
MLD 520A	520	＜10	20
MLD 520B	520	＜10	80
MLD 635A	635	＜10	25
MLD 635B	635	＜10	700
MLD 650A	650	＜10	100
MLD 650B	650	＜10	200
MLD 660	660	＜10	200
MLD 680	680	＜10	9
MLD 780A	780	＜10	10
MLD 780B	780	＜10	80
MLD 808A	808	＜10	50
MLD 808B	808	＜10	300
MLD 820	820	＜10	200
MLD 830A	830	＜10	50
MLD 830B	830	＜10	210
MLD 850A	850	＜10	500
MLD 850B	850	＜10	1000
MLD 905	905	＜10	50
MLD 980A	980	＜10	200
MLD 980B	980	＜10	500
MLD 1064A	1064	＜10	50
MLD 1064B	1064	＜10	200
MLD 1490	1490	＜10	5
MLD 1550	1550	＜10	5

MLED系列

MLED系列（255-420 nm）
型號	峰值波長 [nm]	光譜線寬 [FWHM,nm]	平均功率 [@穩態,mW]
MLED 255	255	＜15	0.5
MLED 265A	265	＜15	0.5
MLED 265B	265	＜15	2
MLED 280	280	＜15	2
MLED 310A	310	＜15	2
MLED 310B	310	＜15	50
MLED 340A	340	＜15	1.5
MLED 340B	340	＜15	65
MLED 365A	365	＜15	10
MLED 365B	365	＜15	2000
MLED 375A	375	＜15	20
MLED 375B	375	＜15	220
MLED 395A	395	＜15	40
MLED 395B	395	＜15	2200
MLED 405A	405	＜15	1100
MLED 405B	405	＜15	1160
MLED 420	420	＜15	1040

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