PeLED 研究已進入成熟階段，在納米鈣鈦礦開發和器件架構優化等方面取得顯著進展，外量子效率超 30%，色域比傳統 OLED 和 QLED 更寬，具備滿足 Rec. 2020 色彩標準的下一代顯示技術潛力，但面臨運行穩定性（尤其是紅光和藍光器件、高亮度下低效率滾降問題未受足夠重視）、低電壓下高亮度和高效率實現等挑戰；工業界對其作為色彩轉換層或增強膜的應用興趣濃厚，因與現有背光技術兼容有望商業化，卻需應對強光、高熱高濕下更高的可靠性要求，故需增強環境穩定性，研究重點應轉向惡劣環境下的長期穩定性和可靠性，同時高分辨率圖案化（如 AR/VR 應用需 3000 PPI 以上像素分辨率，需在 2 µm 以下厚度實現高光密度，並保持高色彩轉換效率和穩定性）愈發重要。

https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202508542

本研究通過設計一種自封裝錫鹵化物鈣鈦礦薄膜，成功解決了這一難題。通過在鈣鈦礦前驅體中引入4,4′-二氨基二苯碸（DDS），形成原位封裝的高結晶度錫碘鈣鈦礦顆粒，顯著提升了薄膜的空氣穩定性。優化後的薄膜陷阱密度降低，p型摻雜密度可控，光緻發光量子產率（PLQY）接近50%。基於此製備的NIR-LEDs實現了12.4%的峰值外量子效率（EQE），並大幅延長了工作壽命。值得注意的是，這是首次實現錫碘鈣鈦礦器件在空氣中的無封裝穩定工作。該研究為高性能錫鹵化物鈣鈦礦光電器件的實用化提供了新思路。

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsenergylett.5c01017

準二維（quasi-2D）鈣鈦礦因其量子限域和介電限域效應的結合，成為藍色發光二極管（LEDs）的理想候選材料。通過精確調控材料組分和相分布，準二維鈣鈦礦發射波長可調至純藍光範圍（465–475 nm），避免了混合鹵化物三維鈣鈦礦中嚴重的相分離問題以及量子點表面不穩定的缺陷。近年來，通過優化準二維鈣鈦礦薄膜性能和器件工程，藍色LED的性能取得了顯著進展。本文綜述了準二維鈣鈦礦材料的基本結構與光物理性質，總結了調控藍色準二維鈣鈦礦薄膜的策略，重點討論了材料與界面工程以及薄膜製備工藝對相分布的影響，並展望了未來研究方向。

https://doi.org/10.1002/adfm.202509226

本研究首次提出了一種鈣鈦礦/有機混合白光LED（P/O-WLEDs）的概念性結構，通過將純綠和深藍有機發光單元依次疊加在紅色鈣鈦礦發光層上，實現了寬色域的白光發射。該器件表現出21.1%的峰值外量子效率（EQE）、2.6 V的超低開啟電壓，以及21.9小時（初始亮度500 cd/m²下LT50）的超長工作壽命。此外，通過優化電荷傳輸層和RbI處理的鈣鈦礦單元，器件還展現出優異的光譜穩定性和合適的相關色溫（CCT），為下一代顯示和照明技術開辟了新途徑。

https://doi.org/10.1002/adma.202507820

本研究提出並設計了一種新型量子點組裝模式，利用超薄的小分子黑色素（Nigrosin）表面微結構誘導量子點進行選擇性組裝（SMA）。這種經過特殊定製的黑色素表面具有獨特的表面特性，其與空穴傳輸層產生的表面能梯度使量子點溶液發生快速地定向自驅動，實現高對比度的圖案化。同時通過仿真分析模擬，進一步優化表面能梯度和驅動時間，實現36599 像素密度（PPI）超高分辨像素陣列。同時利用SMA組裝與光交聯結合，成功製備了2540 PPI全彩發光陣列器件。量子點的選擇性組裝大大提高了圖像對比度，黑色素微結構還有效阻擋了像素間漏電流，抑製了像素間發光串擾。此外，所製備的單色和全彩高分辨器件均表現出優異的發光性能，最大外量子效率分別達到18.74%和11.01%。是目前高分辨量子點發光器件最佳性能之一。

https://doi.org/10.1002/adfm.202510076

本研究成功設計並合成了一種具有獨特合金化核殼結構的量子殼（CdZnSe/ZnSeS/CdSeS/CdS），並基於此構建了高效的量子殼發光二極管（QS-LED）。這種量子殼結構通過精確調控核殼的化學組成，實現了從量子點（QD）到量子殼（QS）的奇妙轉變。在這一結構中，CdZnSe作為內核，而ZnSeS、CdSeS和CdS依次作為外殼，形成了一個完美的核殼體系。與傳統量子點相比，這種量子殼結構具有更均勻的形貌、更完美的納米結構以及更少的缺陷，從而展現出卓越的光學性能，如高達90.9%的光緻發光量子產率、長達215.2納秒的超長熒光壽命以及緩慢的輻射躍遷速率。基於這種量子殼材料的發光二極管，實現了高達22.16%的外量子效率（EQE）和出色的穩定性，這標誌著量子殼材料在照明和顯示領域具有巨大的應用潛力。

https://doi.org/10.1002/advs.202505737

本研究提出了一種新策略，以油胺（OLA）配體封端的CsPbCl₃量子點（QDs）作為替代氯源，成功製備出厚度超過100 nm、晶體垂直排列且穩定性增強的準二維鈣鈦礦薄膜。OLA配體通過調控晶相分布和晶界，抑製了小n值二維相的形成並減少晶體缺陷，而無機CsPbCl₃ QD核則誘導了準二維鈣鈦礦薄膜的垂直結晶，從而提升其結構穩定性。基於此非傳統氯源製備的準二維鈣鈦礦天藍光LED，在485 nm波長處實現了26.2%的外量子效率（EQE），且電緻發光（EL）的峰值位置和亮度穩定性顯著提升。該研究為鈣鈦礦光電子學中的現有難題提供了創新解決方案。

https://doi.org/10.1002/adma.202506970

本文報道了一種利用高速結構化照明超分辨率熒光顯微鏡（SIM）的原位熒光成像技術在單粒子水平上監測鈣鈦礦納米晶體的結晶過程。通過將熒光強度與粒徑關聯起來，闡明了鈣鈦礦納米晶體在聚合物基質中的耦合成核和生長。單個納米晶體的時間熒光強度分析揭示了擴散控製的生長過程，開始時快速生長，隨後緩慢生長。集合納米晶體的分析揭示了成核速率隨前驅體濃度的變化。進一步分析了耦合成核生長的吉布斯自由能漲落。在鈣鈦礦納米晶體的連續成核中，生長自由能占主導地位，這解釋了其較窄的尺寸分布。與LaMer模型相比，耦合成核和生長為製造窄尺寸納米晶體提供了一種替代模型。

https://www.nature.com/articles/s41467-025-60826-x

本研究建立了一個周期性的多層聚合物-鈣鈦礦膜，它展示了小楊氏模量（5.41 GPa）和彎曲公差（半徑為0.5 毫米）的塑性機械行為，同時保留了鈣鈦礦的載流子傳輸能力（μτ 乘積為 1.04×10−4 cm2V−1）。機理研究表明，膜中雙連續鈣鈦礦-聚酰亞胺結構的形成分別解釋了載流子傳輸和負載傳遞函數，從而統一了矛盾的機械和電子特性。采用橫向設備配置，基於該膜的X射線探測器可提供 8380.80 μCGyair−1cm−2的高X射線靈敏度，並在1.5 mm的彎曲半徑下承受 30,000次重複彎曲循環，而性能不會明顯下降。

https://www.nature.com/articles/s41467-025-60705-5

本研究提出一種基於飛秒激光直寫（FsLDW）的仿生“原子-納米-微米”製備策略，通過瞬態激光熱力學調製與表面微納結構工程的協同作用，在聚偏氟乙烯（PVDF）基底上同步構建雙功能結構。上層通過激光燒蝕形成荷葉啟發的超疏水表面（接觸角>161°，滑動角<3°），賦予自清潔和抗水侵蝕能力；下層利用PVDF的低熱導率調控局部熱環境，驅動CsPbX₃（X = Cl/Br/I）QDs的定向結晶並原位調控鹵素組成，實現單步飛秒激光圖案化的全光譜發射（475–690 nm）和高分辨率圖案（~20 μm）。所得薄膜在模擬戶外環境測試後仍保持90%以上的初始發光強度，並展現優異的雨水自清潔特性。該策略為開發兼具高穩定性、柔性、全彩顯示和耐候性的鈣鈦礦發光器件提供了創新解決方案。

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.5c06945

本研究成功合成了一種新型寬帶近紅外熒光材料SrGe₄O₉:Cr³⁺，采用高溫固態反應法製備。該熒光材料在442 nm藍光激發下，發射中心位於846 nm，發射範圍從650 nm到1250 nm，半高寬（FWHM）達到190 nm，內部量子效率高達66.9%。即使在373 K的高溫下，其發光強度仍能保持室溫時的80%以上，展現出優異的熱穩定性。通過將SrGe₃.₉₉O₉:1%Cr³⁺熒光材料與440 nm藍光芯片結合，成功製備了近紅外光轉換發光二極管（NIR pc-LED），並在夜視和生物成像領域展示了其應用潛力。這種新型熒光材料的開發為近紅外光譜技術的應用提供了更高效、更穩定的光源選擇，有望在多個領域實現更廣泛的應用。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.02.031

本研究製備了 LiNbO₃（LNO）:Pr,Bi,Sm 熒光材料，通過痕量 Sm³⁺摻雜增強了紅色持續發光（PersL），並實現了熱激發發光（TSL）的調控。該熒光材料展現出四重發光特性，在智能防偽領域具有巨大應用潛力。通過構建可逆光伏電池和電解池，解釋了 PersL 增強的機製，為設計用於遠程智能防偽的信息存儲 PersL 材料提供了新方向。從專業科研視角看，這種對熒光材料發光性能的精確調控，為材料在多領域的應用拓展了可能，尤其是在對信息安全和存儲要求極高的防偽領域，有望帶來新的技術突破和產業變革。

https://doi.org/10.1016/j.cej.2025.161181

本綜述文章討論了具有各種天線配體的小型鑭系配合物，這些配體能夠從手性配體向金屬配合物傳遞和誘導手性。文章還簡要總結了手性鑭系金屬配合物的合理配體設計及其未來用途。鑭系配合物因其獨特的電子構型和光學性質，在CPL材料的設計中展現出巨大潛力，有望推動光學信息存儲、手性識別、3D顯示和智能傳感器等領域的發展。

https://rsc.li/materials-c

本文提出了將鹵化物調整和Q-2D相工程相結合的混合策略，以實現合理的相分布和缺陷鈍化，從而提高高效穩定的藍色PeLEDs的膜質量。值得注意的進展包括使用NaBr添加劑使天藍色pled的EQE達到11.7%，通過γ-氨基丁酸（GABA）介導的能量轉移優化使藍色PeLEDs的PLQY提高到82%，EQE達到6.3%。相位分布也可以通過襯底修飾來定製。例如，氯化銫塗層襯底誘導相重排，減少非輻射重組。同時，使用功能化基團（例如-NH2， C=O， P=O， -COOH和-SO3H）的缺陷鈍化策略在藍色PeLEDs優化中顯示出有效性。這些官能團與欠配位的Pb2+ 配位，鈍化了作為非輻射重組中心的缺陷。值得注意的是，運行穩定性仍然受到焦耳加熱和電場下離子遷移的限製，導緻效率滾降和光譜不穩定。

https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2025.121253

本研究提出了一種具有高局部結構演變活性的全無機有序無序異質結界面，由晶格無序的 W18O49與結晶氮摻雜的 TiO2（TiO2:N@W18O49-a）組成。這種結構在紫外線照射下 5 s內即可實現超過 80%的光緻變色對比度，並在 90 s內完全褪色。原位輻照（ISI）電子順磁共振和 ISI X 射線光電子能譜結合 DFT 計算表明，這種界面誘導了光生電子的局域化，並促進了獨特顏色中心構型（Ti-Ovac-W）的形成，顯著提高了光緻變色速度和光緻變色對比度。此外，這種有序無序界面結構提升了 W 的 d 軌道中心能級，有利於 O₂ 的吸附，從而確保了可高度定製的自褪色速率。這些優勢為高級光學應用奠定了基礎，並展示了 TiO₂：N@W₁₈O₄₉-a 在光緻變色智能窗、信息加密和信息存儲方面的潛在應用。

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/lpor.202500459

本研究以非共軛 N-氨基乙基呱嗪 (AEPZ) 配體和 CdCl₂ 為前驅體，通過反應比例調控合成了具有綠色 UOP 的晶態 OIHP (AC1 和 AC2) 及其對應的非晶態材料 (AC1-A 和 AC2-A)。機理研究表明晶體和非晶態 OIHP 的綠色 UOP 源於空間共軛形成的團簇聚集體發光。此外，為優化材料的可加工性能，將非晶態 OIHP 與聚乳酸 (PLA) 的混合物進行熔融拉絲進一步製備了柔性絲狀複合材料 AC-A@PLA ，利用 PLA 的結合能力構建了一類具有異質結構和彩色 UOP 的柔性材料體系。

https://doi.org/10.1039/D5QI00556F

本文提出允許的電荷轉移（CT）躍遷作為藍光激發近紅外熒光粉的一種新型敏化途徑。NaLaS₂：Yb³⁺ 中S²⁻→Yb³⁺ 電荷轉移產生的寬敏化帶完全覆蓋了整個藍光波長區域。在 450 nm激發下，它在 994 nm處表現出強烈的近紅外發射，內部量子效率為 64%。這種 CT 躍遷具有高吸收效率，導緻外部量子效率顯著達到 45%。在 420 K時，發射強度保持在室溫時的 88.7%。與藍光芯片耦合，製備出光電轉換效率為 15.5% 的高性能近紅外 pc-LED，並展示了其潛在應用。這些發現為藍光激發熒光粉開辟了新的高效敏化途徑。

https://doi.org/10.1002/lpor.202500750

本研究采用高溫固相法成功製備了Tb3+和Mn4+單摻和共摻Ca14Zn6Ga10O35熒光粉。利用X射線衍射(XRD）、掃描電子顯微鏡(SEM)、能譜分析(EDS)、熱釋光光譜(TL)、光緻發光光譜(PL)、應力發光光譜(ML)和衰減曲線進行表征。Tb3+在272 nm激發下的5D4 → 7FJ（J = 6, 5, 4, 3）躍遷產生了位於541 nm的綠色發射峰。此外，Mn4+在710 nm處的深紅色發射歸因於Mn4+在468 nm激發下的2E2 → 4A2躍遷。應力發光主要來源於Tb3+的5D4 → 7FJ（J = 6, 5, 4, 3）躍遷。Tb3+和Mn4+共摻雜樣品的熒光光譜和熒光壽命衰減曲線表明，Tb3+ → Mn4+的能量傳遞效率達到64.81%。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.05.401

本研究納米尺度上精確設計和調控了異相γ/δ-CsPb(I/Cl)3材料，以實現異相的均勻分布、電荷的平衡流動和可調的光譜。由此產生的γ/δ-CsPb(I/Cl)3材料在電場激發下顯示出覆蓋400-780 nm的寬光譜白光電緻發光，其CIE坐標為(0.33, 0.33)，顯色指數為95，色溫為5829 K，色差為-3 × 10−4，並具有平衡的白光組成（生理節律影響比為1.004）。這五個核心指標與標準太陽光的匹配度分別達到了100%、95%（R9為97%）、99.5%、99.97%和99.6%，遠優於現有的商業白光LED。

https://doi.org/10.1038/s41467-025-58743-0

本文提出了一種將紅色鈣鈦礦發射層與綠色和深藍色有機發光單元相結合的混合結構。這種設計巧妙地利用了有機材料和高n值鈣鈦礦的獨特特性，實現了寬帶載流子分布、高激子利用率和窄帶發射峰。最終，開發的P/O-WLEDs器件實現了21.1%的峰值外量子效率、2.6 V的超低開啟電壓和21.9小時（LT50在初始亮度為500 cd m−2時）的顯著延長使用壽命。此外，通過調節RbI處理鈣鈦礦單元和優化的薄LiF層的電荷傳輸特性，P/O-WLEDs不僅保持了相當的性能，還表現出明顯的光譜穩定性和合適的色溫。

https://doi.org/10.1002/adma.202507820

本文提出了一種新型聚合物微球作為通用載體，可以通過可逆地吸收和釋放不同的磷光體來調節 UOP 顏色。原理：熒光粉的芳基羧酸基團與交聯聚丙烯酰胺 (PAM) 微球之間形成的分子間氫鍵，構建了一個剛性環境，有效地抑製了非輻射躍遷，從而實現了 3.68 秒的 UOP 長壽命。動態調節： 這些聚合物微球作為動態載體，可以在水溶液中重新加載和釋放均勻分散的熒光粉，從而重新排列分子間氫鍵，並將 UOP 發射顏色調諧至從藍色到綠色和紅色的光譜範圍。顏色擴展： 通過將熒光染料引入聚合物微球，可以通過能量轉移機製將 UOP 顏色範圍擴展到整個可見光譜。應用： 這些 UOP 聚合物微球在光學複用中得到了成功的應用，展示了其在信息存儲和安全領域的巨大潛力。結論： 該研究不僅為實現在聚合物微球中可調顏色的 UOP 提供了一種新策略，還擴展了其在先進光電子技術中的潛在應用。

https://doi.org/10.1002/adma.202502169

本文在CLCs介質中開發了四種具有不同SF值的非手性二色性染料。其中，包含p-C5PhHBT染料的CLCs系統實現了最強的glum值（+0.48/−0.47），這歸因於其在CLCs中具有最高的序參量（SF = 0.56）。此外，這四個CLCs系統表現出與SF相關的CPL特性，並且具有幾乎相同的螺旋超結構和螺距，突出了SF調控作為調節CPL信號的策略的巨大潛力。基於在CLCs中觀察到的相似熒光波長和不同的CPL行為，進一步提出了雙防偽應用的概念。

https://doi.org/10.1002/adfm.202500112

為了將鹵化鉛鈣鈦礦商業化為發光二極管（LED），需大幅提高器件使用壽命，而了解偏壓下的退化行為至關重要。相關研究成果於《ACS Energy Letters》刊發，該研究利用基於同步加速器的掠入射廣角 X 射線散射和硬 X 射線光電子能譜，對全疊深藍色混合溴化物 / 氯化物鹵化鉛鈣鈦礦 LED 進行結構、化學和電子變化的原位測量。結果顯示，電偏壓下光電性能明顯下降，X 射線散射數據表明結構特性僅微小變化，但光電子能譜揭示施加偏壓後電子注入界面發生重大化學變化，包括形成不需要的金屬鉛及鈣鈦礦結構中不存在的新氯物質。這些原位方法為揭示此類 LED 的退化機製提供了重要的結構和界面視角，並強調解決頂部電子注入界面對實現操作穩定性階躍變化的必要性。

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.5c00989

該文章研究的是近紅外發光二極管（NIR-LEDs），特別是基於鑭系元素摻雜鈣鈦礦量子點（Yb3+: CsPb(Cl1-xBrx)3）的NIR-LEDs。雖然這種材料理論上可以達到約200%的光緻發光量子產率，但由於材料穩定性差，限製了其在NIR-LEDs中的應用。文章的創新點在於提出了一種雙缺陷修複策略，通過引入鈉離子填補空位和吡啶-2-羧酸進行鈍化，有效降低了陷阱密度，提高了材料的穩定性和近紅外發光效率。最終，研究人員製備了基於優化後的Yb3+: CsPb(Cl1-xBrx)3的NIR-LEDs，其外量子效率達到8.2%，並且操作穩定性提高了30倍，為高性能NIR-LEDs的開發提供了新的思路。

https://doi.org/10.1002/adfm.202507724

該文章研究了遠紫外C (far-UVC) 波長範圍內的長餘輝發光材料，這類材料在消毒、太陽盲成像等領域具有巨大潛力。目前，市場上主要使用汞燈作為far-UVC光源，但其存在體積大、效率低等缺點。固態深紫外LED成本高、製備複雜，也限製了其應用。因此，開發新型far-UVC發光材料具有重要意義。該文章創新性地製備了兩種far-UVC長餘輝發光材料：CaSO4:Pr3+ 和 CaSO4:Pb2+。這兩種材料在停止X射線激發後，能夠發出持續超過24小時的far-UVC光，峰值波長分別為220 nm和230 nm。這是目前已知的最短的UVC餘輝發光材料。由於地球表面缺乏far-UVC背景光，因此可以使用太陽盲紫外相機清晰地檢測和成像這兩種材料的餘輝信號，即使在明亮的環境下也能保持高對比度。此外，文章還研究了室內白光LED和室外陽光對兩種材料餘輝性能的影響，並利用熱釋光光譜進行了分析。

https://doi.org/10.1039/D5QI00184F

本文提出了一種基於 N-B-N 異構化的策略來增強 RTP 性能。通過合成兩種含有 HN-B-NH 單元的異構體（1,1-DB 和 1,2-DB），並對其 RTP 性質進行比較研究，發現 1,1-DB 具有優異的 RTP 性能，而 1,2-DB 則表現出可忽略的磷光。進一步研究表明，1,1-DB 中的 N-B-N 單元優化了分子構型和相互作用，增強了電子離域並穩定了三重態激子，從而提高了系間竄越 (ISC) 和自旋軌道耦合 (SOC)，同時降低了非輻射衰減，最終實現了 RTP。此外，基於磷光共振能量轉移，通過將熒光素摻雜到 1,1-DB 中實現了多色餘輝。這項工作不僅提供了一類新的 RTP 材料，還為 RTP 材料的合理設計和優化提供了寶貴的見解，並可能觸發硼氮分子系統內新功能和性質探索。

https://doi.org/10.1002/anie.202509104

該文章提出了一種利用 CsPbCl3 量子點 (QDs) 作為氯源製備厚膜準二維鈣鈦礦的新策略。CsPbCl3 QDs 中的 OLA 配體可以調節晶體相分布和晶界，抑製小 n 相的出現並減少晶格缺陷，而無機 CsPbCl3 QD 核則誘導準二維鈣鈦礦薄膜垂直結晶，賦予其增強的結構穩定性。

https://doi.org/10.1002/adma.202506970