本研究發現CsPbCl3:Mn²⁺在X射線激發下展現出顯著的長餘輝特性，其在200 K時的餘輝持續時間超過60分鍾。研究發現，該材料的餘輝過程主要受熱輔助隧穿（TAT）機製控製，能量直接從陷阱轉移到Mn²⁺中心。在77-120 K的低溫下，淺陷阱中的電子對餘輝有微弱貢獻，而在高於120 K時，主要通過TAT過程將能量從深陷阱直接轉移到Mn²⁺離子。該研究不僅揭示了餘輝材料中的能量轉移機製，還為優化餘輝材料提供了理論基礎。實驗結果顯示，CsPbCl3:Mn²⁺在200 K下，經過60 kV、2分鍾的X射線照射後，餘輝持續時間超過1小時，展現出優異的電子存儲能力和穩定性。

https://doi.org/10.1002/lpor.202500873

本研究通過鉛鹵化物（PbI₂）處理和140°C退火，使n型摻雜的HgSe/CdS核/殼膠體量子點薄膜在5微米波長處的光緻發光（PL）效率達到0.2%的表觀外部效率。PbI₂處理可去除95%的C-H振動吸收，但PL的提升與n型摻雜的改善有關，而非有機配體的去除。在溫度從423K降至85K時，集成發射強度僅增加20%，表明多聲子弛豫並非限製PL的主要因素，有望實現更亮的發射。PbI₂處理使薄膜最亮，但PbBr₂和PbCl₂也有類似效果。研究強調了不同維度Ti₃C₂Tₓ MXene對複合材料光催化性能的顯著影響，並為開發高效光催化體系提供了新途徑。

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.5c01021

本研究提出了一種共添加劑策略來調控鈣鈦礦結晶，成功合成了CsPbBr₃&Cs₄PbBr₆雙相納米晶體，並通過分子摻雜改變其半導體極性。這種策略不僅降低了缺陷密度，還實現了平衡的電荷注入和更高的光提取效率。得益於此，鈣鈦礦綠色LED（PeLEDs）實現了28.2%的顯著外量子效率（EQE），亮度超過150000 cd m⁻²，T₅₀壽命達到4291小時。同時，該器件還展現出16.5 nm的超窄光譜線寬、1.9 V的超低驅動電壓，以及92%的Rec. 2020色域覆蓋範圍。這些成果標誌著鈣鈦礦綠色LED在效率、亮度、穩定性、功耗、色純度和色域等關鍵指標上取得了全面突破，為未來顯示技術的發展提供了重要支持。

https://doi.org/10.1002/adma.202506187

本研究提出了一種通過調節多態分子中扭曲分子內電荷轉移（TICT）程度來構建激發波長依賴發射（Ex-De）材料的方法。以蒽醌衍生物 PCzAQ 為 TICT 活性客體分子，對苯二甲酸二甲酯（DTT）為主分子，噴塗層的 PCzAQ@DTT@paper 樣品在 254 nm 和 365 nm 激發下分別發出黃色和橙色光。光物理特性分析表明，黃色發射源於熱活化延遲熒光（TADF），橙色發射則歸因於磷光。激發波長小於 310 nm 時，激發態 DTT（S₁DTT）與 PCzAQ 分子的相互作用增強，限製分子扭曲，產生 TADF 發射；激發波長大於 310 nm 時，基態 DTT（S₀DTT）與 PCzAQ 分子的相互作用減弱，促進 TICT，加速系間穿越（ISC），導緻磷光發射。此外，該 Ex-De 材料在防偽和信息安全領域的應用也得到了成功驗證。

https://doi.org/10.1002/lpor.202500234

本研究提出了一種通用的雙配體（乙烯基磷酸，VPA；1,10-癸二硫醇，DE）鈍化策略，解決了在環境條件下對鈣鈦礦量子點（PQDs）進行直接光刻圖案化的挑戰。該策略賦予PQDs/VPA-DE高光緻發光量子產率（PLQY，達97.6%）、高分辨率（4233 PPI）、高保真度（接近99%）以及多色（RGB）像素，並實現了良好的分散性和穩定性。此外，研究還展示了在環境條件下製備的PQDs/VPA-DE像素（1707 PPI）組裝的高分辨率PQD/VPA-DE-LEDs的可行性，其外量子效率（EQE）達13.09%，亮度達29968 cd/m²。這一成果是環境條件下組裝的高分辨率PQD-LEDs中性能最高的報道之一。

https://doi.org/10.1002/adfm.202504261

本研究介紹一種用於芯片上過渡金屬二硫化物（TMDC）異質結構光緻發光分選的逆向設計波長解複用器。該解複用器能分離三種不同波長的光緻發光，通過優化算法實現性能最大化。實驗中，研究人員在波導兩端添加光柵耦合器以提高效率，成功將WS₂、WSe₂及層間激子發射的光分別引導至不同波導通道。結果顯示，620 nm、750 nm和870 nm的光緻發光分別以69.7%、83.7%和87.8%的效率被引導至對應輸出。這一成果為集成光子學應用提供了新方法。

https://doi.org/10.1021/acsphotonics.5c00934

本研究通過在Cs₃MnBr₅的A位和B位共摻雜，利用高能球磨法合成了Mn²⁺基混合金屬鹵化物。該方法在25分鍾內製備出具有高光緻發光強度和溫度穩定性的材料。新材料構建了氫鍵系統和高結合能的[MnBrz(H₂O)₄-z]²⁻z結構。其中， [Cs₀.₈₅(C₇H₁₇N₂)₀.₁₅]₃Mn₀.₈Mg₀.₂Br₅·(6H₂O)₀.₂的光緻發光強度是Cs₃MnBr₅初始值的302%。高溫熱穩定性測試顯示，經過三輪熱循環後，其光緻發光強度是Cs₃MnBr₅初始值的374%，僅比最大值下降2.9%。這實現了具有優異高溫發光穩定性的Mn²⁺基混合金屬鹵化物的固相合成，顯示了其在顯示領域應用的潛力。

https://doi.org/10.1002/slct.202501437

本研究介紹了一種無需熱處理即可製備高性能鈣鈦礦發光二極管（PeLEDs）的新方法，通過在鈣鈦礦發光層中使用碳點（CDs）作為界面層，借助CDs豐富的鉀離子、羧酸鹽和氨基等官能團，起到成核中心的作用並增強前驅體相互作用，從而在室溫下實現鈣鈦礦的結晶，降低形成能，引導均勻的晶體生長，提高鈣鈦礦層的質量，所製備的無需退火的PeLEDs最大外部量子效率達到20.5%，大面積PeLEDs（225mm2）效率達16.6%，該策略省去了熱處理步驟，提升了電緻發光性能，為製備高性能鈣鈦礦基光電子器件提供了一條可擴展、低成本和能源效率高的新途徑。

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c01827

本研究提出一種用於量子點發光二極管（QLED）的直接光刻技術，利用 TDBA 作為卡賓交聯劑，無需光刻膠，可實現特征尺寸小至約 2 微米（約 6350 dpi）的高精度量子點圖案化。經 TDBA 交聯後，量子點薄膜的光緻發光量子產率（PLQY）從 53.5% 提升至 56.2%，後經 PETMP 後處理進一步提升至 64.2%。製備的紅色發射交聯量子點 QLED 最大外量子效率（EQEmax）達 10.3%，最大亮度為 99369 cd/m²。此外，還成功製備了半透明 QLED，通過優化 5 納米金（Au）頂電極，實現了雙面發光，總 EQEmax 為 6.3%。這種基於 TDBA 的直接光刻技術為高分辨率 QLED 顯示應用提供了新途徑。

https://doi.org/10.1021/acsnano.5c04130

本研究通過液 - 液 - 固水熱法合成棒狀 BaLu₂F₈（BLF）納米晶體，並采用鑭系元素摻雜策略製備 Tb 摻雜的 BLF 納米晶。其展現出高效的綠光發射，與常規光電轉換器件光譜匹配良好。經 Ce³⁺ 和 Tb³⁺ 間有效能量轉移，發光性能進一步提升。製備的 BLF:Ce,Tb 納米晶體具有高 X 射線靈敏度、低檢測限（142.4 nGy s⁻¹）和較大相對光輸出（21480 光子 /MeV），相對光輸出是商業閃爍體的 2.4 倍。利用其製造的大面積柔性複合膜，空間分辨率高達 24.6 線對 /mm，成像效果優異。該研究為高分辨率工業無損檢測和生物成像提供了有潛力的共摻雜 ALn₂F₈ 基納米複合閃爍體材料。

https://doi.org/10.1021/acsami.5c04653

本研究通過調控聚合物網絡剛度，實現了對二苯並 -24- 冠 -8- 醚（CE）在聚丙烯酰胺（PAAm）水凝膠中原位結晶形態的控製，成功製備出具有規則球晶或帶狀球晶的可拉伸水凝膠。當光引發劑濃度（CLAP）為 0.01 - 0.1 mol% 或交聯劑濃度（CMBAA）較高時，形成規則球晶，其熒光和磷光較強；而當 CLAP 增加到 0.2 - 2 mol% 或 CMBAA 降低時，形成帶狀球晶，其展現出Circularly Polarized Luminescence (CPL)，不對稱因子達 +1.5×10⁻²。這些水凝膠具有良好的力學性能，拉伸斷裂應變可達 770 - 1500%。研究發現，帶狀球晶由扭曲的晶體纖維組成，其形成與晶體生長壓力和網絡阻力的動態變化相關。該工作為設計具有定製晶體形態和光學性能的軟材料提供了新策略。

https://doi.org/10.1002/adma.202505444

本文介紹一種“填充”技術，通過製備含金納米顆粒（Au NPs）的多孔金摻雜反蛋白石光子晶體（IOPC），精確控製發光粒子與Au NPs的距離，解決熒光猝滅問題。實驗以CdSe量子點為發光材料，利用該技術使熒光強度提升106倍。進一步製備的雙層IOPC-OPC複合結構，使熒光強度增至242倍，優於普通銀鏡的210倍增強效果，展現出優異的光子-等離激元雜化結構潛力。

https://doi.org/10.1038/s41565-025-01946-9

本研究提出了一種基於弱空間限製的全無機鈣鈦礦大晶粒的策略，用於提高鈣鈦礦發光二極管（PeLEDs）的性能。通過使用亞磷酸和氯化銨作為犧牲添加劑，誘導溴化銫鉛的成核和結晶，形成單晶晶粒，從而減少陷阱密度並提高光緻發光量子產率。得益於高載流子遷移率和抑製的俄歇複合，所製備的PeLEDs實現了22.0%的外部量子效率，在接近1000 mA cm⁻²的高電流密度下仍保持20%以上，亮度超過1167000 cd m⁻²。此外，由於離子遷移的抑製和熱穩定性的提升，弱空間限製的PeLED在室溫下初始亮度為100 cd m⁻²時的估算半壽命延長至185600小時。這項工作為設計高效、明亮且穩定的PeLEDs提供了新的思路，有望推動其在實際應用中的發展。

https://doi.org/10.1038/s41586-025-09137-1

本研究通過實驗和理論計算相結合的方式，深入研究了β-Ga₂O₃納米膜的光學各向異性和偏振效應。研究發現，該材料展現出強烈的紫外發射帶（3.4 eV），且該發射帶沿c軸方向偏振最強；此外，還觀測到藍光（2.9 eV）和深紫外（3.8 eV）發射帶。通過X射線吸收近邊結構（XANES）測量，發現Ga K邊吸收峰在10.377 eV（對應GaI的四面體配位）和10.380 eV（對應GaII的八面體配位）處表現出明顯的偏振依賴性。結合密度泛函理論（DFT）計算，推測深紫外發射帶可能與Ga空位有關。這些發現為β-Ga₂O₃在偏振敏感器件中的應用提供了重要依據。

https://doi.org/10.1002/adpr.202500043

本研究利用 CCSD(T) 和 CASPT2 方法，對水中鈾酰碳酸鹽及其水合複合物 [(H2O)xUO2(CO3)n]2−2n (x = 0−3, n = 1−3) 的低能激發態和發光性質進行理論研究。結果顯示，配體場在標量相對論水平下對基態和最低激發態 (3Δg) 影響相當，而自旋軌道耦合在近飽和配位環境中對發光光譜影響很小。例如，[UO2(CO3)3]4− 的基態鈾氧鍵長 (Re,g) 為 1.7972 Å，激發態鍵長 (Re,e) 為 1.8684 Å，鍵長伸長量 (ΔRe) 為 7.12 pm。基於此，研究建立了 Re,g 與 ΔRe 及 Re,g 與激發能差 (ΔΔE) 的關鍵關聯，並在其他鈾酰體系中驗證了這些關聯。進一步提出一種預測方法，通過簡單鈾酰化合物的計算結果和複雜體系的 Re,g 與最低垂直激發能，可估算複雜體系的發光光譜參數，誤差控製在 6.3% 以內，顯著降低了計算成本。

https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.5c01463

本文開發了基於孔隙空間分割策略的新型雙中心發光材料 Mg-TPA-bdc⊇AF，由 Mg-TPA-bdc 金屬−有機框架（MOF）和吖啶黃（AF）染料組成。Mg-TPA-bdc在365 nm激發下展現明亮藍色發光（λem=438 nm，量子產率33.43%）。封裝AF後形成的複合材料Mg-TPA-bdc⊇AF，在365 nm激發下展現藍色發光（λem=438 nm），在460 nm激發下展現綠色發光（λem=509 nm），量子產率提升至49.43%。此外，該材料在外界壓力或溫度變化時展現可逆刺激響應發光調諧行為：真空條件下，Mg-TPA-bdc的發射峰從438 nm（藍色）紅移至470 nm（青色），在潮濕空氣中可恢複；溫度從298 K降至80 K時，Mg-TPA-bdc的發射中心從470 nm逐漸藍移至438 nm，同時發光強度顯著下降。基於其獨特光學特性，研究者構建了新型二進製編碼微陣列數據存儲矩陣，實現四級加密功能，可應用於信息加密和光學防偽領域。

https://doi.org/10.1021/acs.inorgchem.5c01796