變溫霍爾效應測試系統-東譜科技（廣州）有限責任公司

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霍爾效應測試系統

作者：東譜科技瀏覽：發表時間：2020-03-10 09:00:00

測量材料：

半導體薄膜，Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等。

測量參數：

體載流子濃度、表面載流子濃度；

遷移率、霍爾系數；

電阻率；

磁緻電阻；

電阻的縱橫比率。

實驗參數：

輸入電流：0.6nA ~ 200mA；

電阻率：10^-4 ~ 10⁷；

載流子濃度：10⁷ ~ 10²¹；

遷移率：1 ~ 10⁷；

磁場強度：0.5(cm2/Volt.sec)；

樣品測量板：PCB & SPCB彈簧片樣品板；

溫度範圍：78K-500K可選。

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