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QFLS技术解析钙钛矿电池非辐射损耗机制

作者:东谱科技 浏览: 发表时间:2026-07-02 14:50:00

QFLS技术解析钙钛矿电池非辐射损耗机制

1 背景与问题

钙钛矿太阳能电池因其高光电转换效率而备受关注,但其开路电压()往往远低于理论极限。造成这一差距的主要原因是非辐射复合损耗,这些损耗可能源于体相缺陷、表面陷阱或界面复合。然而,准确量化体相与界面各自的损耗贡献一直是该领域的难题。传统的电流-电压(J-V)测试只能提供宏观性能参数,无法深入揭示损耗的物理位置和机制。为了突破这一瓶颈,研究人员急需一种能够精确测量准费米能级分裂(QFLS)和光致发光量子产率(PLQY)的先进测试技术,以区分材料本征质量与界面接触特性对器件性能的影响。

2 核心方案

本论文《Defect/Interface Recombination Limited Quasi-Fermi Level Splitting and Open-Circuit Voltage in Mono- and Triple-Cation Perovskite Solar Cells》通过绝对光致发光(PL)测量和电致发光量子效率()测试,深入对比了单阳离子(MAPI)和三阳离子钙钛矿电池的能量损耗机制。

研究团队采用了以下核心测试技术:

(1) 绝对PL测量:直接测量薄膜、半器件及完整器件的准费米能级分裂(QFLS),量化非辐射电压损失;

(2) 瞬态光致发光(TRPL:评估载流子寿命,分析体相复合动力学;

(3) 变温PL测试:在低温(20 K)下探测亚带隙发射态,识别浅层陷阱;

(4) 光强依赖测试:通过随光强的变化计算理想因子,判断主导复合机制。

图1. (a) 测量的电致发光量子效率(EQEEL)与电压的关系;(b) MAPI和三价阳离子器件的开路电压与强度以及获得的理想因子(nID)的关系;(c) MAPI和三价阳离子钙钛矿纯膜的瞬态光致发光测量及获得的寿命。

3 实验结果与分析

通过上述高精度测试手段,研究得出以下关键数据:

3.1 器件性能与QFLS对比

论文对比了MAPI与三阳离子钙钛矿的性能,发现三阳离子材料具有显著更高的QFLS和更低的非辐射损耗。

3.2 损耗来源定位

研究进一步利用QFLS分层测量技术,将损耗解耦为体相损耗与界面损耗:

(1) MAPI体系:体相QFLS(1.122 eV)与器件接近,说明损耗主要源于体相和表面的陷阱态。变温PL证实了MAPI中存在大量浅层陷阱态;

(2) 三阳离子体系:体相QFLS较高(1.231 eV),但加入传输层后QFLS显著下降(降至1.137 eV),说明其体相质量较好,损耗主要源于界面复合

图2.块体、界面和电极中的准费米能级分裂(QFLS)与开路电压(VOC)损耗。MAPI块体(黑星)和三价阳离子(红星)获得的QFLS受到块体内非辐射复合损耗的影响(深黄色稀疏和密集线条分别表示)。在玻璃基底上的部分叠层电池(HTL/钙钛矿、钙钛矿/ETL以及p-i-n叠层)中,QFLS则受到额外界面复合损耗的影响(紫色稀疏和密集线条分别表示)。最后,p-i-n叠层的QFLS与完整电池的VOC之间的差异表明了金属电极处存在复合损耗以及势能匹配问题,尽管不匹配程度较小。

3.3 钝化效果验证

论文通过TOPO钝化处理,成功将MAPI的QFLS从1.122 eV提升至1.2 V,证明了表面钝化对提升体相质量材料性能的关键作用。

图3.清洁的(a)MAPI钙钛矿薄膜和(b)三价阳离子钙钛矿在温度依赖性下的光致发光发射。下方热图分别显示了(c)MAPI和(d)三价阳离子在不同温度和波长下归一化的峰值发射强度。

4 产品介绍

HiYield-QFLS

太阳能电池准费米能级分裂测量仪

HiYield-QFLS是一款太阳能电池准费米能级分裂与非辐射损耗专用测量平台,用于分析QFLS、隐含开路电压、EL效率和等效光伏特性。系统可从材料、器件和空间分布三个层面定位损耗。适用于高效率钙钛矿、叠层和薄膜太阳能电池研发。QFLS、隐含开路电压iVoc和非辐射电压损失已成为高效率钙钛矿及叠层电池研究的关键指标,尤其适用于宽带隙吸收层与界面钝化分析。HiYield-QFLS可比较材料、半器件和完整器件,并通过mapping定位局部损耗。

4.1 技术特点

(1) 集成材料QFLS_PL、器件QFLS_EL、电致发光量子效率、Pseudo-JVEqui-PV等六类功能模块;

(2) 支持不同辐照度下的QFLS扫描,并可选配QFLS_EL一维/二维mapping用于空间损耗定位;

(3) 采用532 nm辐照源,等效光强覆盖0.001-11 sun,支持器件不同工作条件下的损耗研究;

(4) 自动测试个子器件,并集成监控观察和测温模块,提高批量测试与条件追溯能力;

(5) 光强扫描、材料/器件测量和一维/二维mapping可用于分析非辐射损失随工作条件和空间位置的变化。

4.2 产品优势

(1) 不是单一PL测量,而是将QFLSiVocEL效率和等效JV关联,直接服务太阳电池损耗诊断;

(2) 材料、器件与空间mapping三层分析能够区分非辐射损耗来源并定位局部性能短板;

(3) 专用自动化流程降低QFLS模型与多设备数据拼接门槛,使前沿指标更易进入常规研发;

(4) QFLSiVoc、光强扫描和mapping共同使用,可从材料、器件与局部区域多个层面分析非辐射损失来源。

原文参考:Defect/Interface Recombination Limited Quasi-Fermi Level Splitting and Open-Circuit Voltage in Mono- and Triple-Cation Perovskite Solar Cells

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QFLS技术解析钙钛矿电池非辐射损耗机制1 背景与问题钙钛矿太阳能电池因其高光电转换效率而备受关注,但其开路电压()往往远低于理论极限。造成这一差距的主要原因是
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