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纳秒脉冲半导体光源NanoQ

纳秒脉冲半导体光源NanoQ是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。

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产品简介

纳秒脉冲半导体光源NanoQ是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒和连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。NanoQ系列是纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，可实现时间分辨光谱、激发态寿命、瞬态光电导等测试功能，常用于研究荧光粉、染料、有机半导体、钙钛矿、量子点等。

产品特点

□ 覆盖紫外-可见-近红外波段

□ 高重复频率

□ 输出功率灵活多变

□ 窄工作脉冲

□ 可视界面，易于操作

□ 同步触发输出

□ 体积紧凑

□ 兼容外部触发

□ 光纤耦合

□ 良好的稳定性

产品应用

□ 时间分辨荧光光谱

□ 瞬态光电流/光电压

□ 激发态寿命

□ 稳态荧光光谱

□ 光催化

□ 荧光成像

□ 激光测距

□ 空间光路搭建等

规格型号

功率等级
Class3（建议所有产品均按此等级进行防护）
供电电压：15V；电流：1.2A
触发输入SMA,VIL=0.4V（典型）；VIH=3.3V（典型）
触发输出SMA,Vpp=800mV（典型）
联锁输入SMA
钥匙开关有
底部装配孔M6*1，M4*2
工作温度-10°C-45°C（不结露）
存储温度-25°C-70°C
冷却自然冷却
尺寸整体：150mm长*75mm宽*60mm高；圆筒：30mm*38mm
重量
685g
选配件1. 符合SMA/FC结构标准的光纤耦合件；2. 激光器安装支架





NLD系列

NLD系列（405-1550 nm）

型号

中心波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

脉冲宽度 [FWHM,ns]

脉冲能量

(nJ)

平均功率 [@100kHz,mW]

NLD 405A

405

＜10

＜20

2

0.2

NLD 405B

405

＜20

7

0.7

NLD 450A

450

＜10

＜20

1.6

0.16

NLD 450B

450

＜20

32

3.2

NLD 515

515

＜10

＜20

0.7

0.07

NLD 520A

520

＜10

＜20

0.4

0.04

NLD 520B

520

＜20

1.6

0.16

NLD 635A

635

＜10

＜20

0.5

0.05

NLD 635B

635

＜20

14

1.4

NLD 650A

650

＜10

＜20

2

0.2

NLD 650B

650

＜20

4

0.4

NLD 660

660

＜10

＜20

4

0.4

NLD 680

680

＜10

＜20

0.18

0.018

NLD 780A

780

＜10

＜20

0.2

0.02

NLD 780B

780

＜20

1.6

0.16

NLD 808A

808

＜10

＜20

1

0.1

NLD 808B

808

＜20

6

0.6

NLD 820

820

＜10

＜20

4

0.4

NLD 830A

830

＜10

＜20

1

0.1

NLD 830B

830

＜20

4.2

0.42

NLD 850A

850

＜10

＜20

10

1

NLD 850B

850

＜20

20

2

NLD 905

905

＜10

＜20

1

0.1

NLD 980A

980

＜10

＜20

4

0.4

NLD 980B

980

＜20

10

1

NLD 1064A

1064

＜10

＜20

1

0.1

NLD 1064B

1064

＜20

4

0.4

NLD 1490

1490

＜10

＜20

0.1

0.01

NLD 1550

1550

＜10

＜20

0.1

0.01


NLED系列

NLED系列（255-420 nm）

型号

峰值波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

脉冲宽度 [FWHM,ns]

脉冲能量

(nJ)

平均功率 [@100kHz,mW]

NLED 255

255

＜15

＜20

0.01

0.001

NLED 265A

265

＜15

＜20

0.01

0.001

NLED 265B

＜20

0.04

0.004

NLED 280

280

＜15

＜20

0.04

0.004

NLED 310A

310

＜15

＜20

0.04

0.004

NLED 310B

310

＜20

1

0.1

NLED 340A

340

＜15

＜20

0.03

0.003

NLED 340B

340

＜20

1.3

0.13

NLED 365A

365

＜15

＜20

0.2

0.02

NLED 365B

365

＜20

40

4

NLED 375A

375

＜15

＜20

0.4

0.04

NLED 375B

375

＜20

4.4

0.44

NLED 395A

395

＜15

＜20

0.8

0.08

NLED 395B

395

＜20

44

4.4

NLED 405A

405

＜15

＜20

22

2.2

NLED 405B

405

＜20

23.2

2.32

NLED 420

420

＜15

＜20

20.8

2.08


纳秒脉冲半导体光源NanoQ
纳秒脉冲半导体光源NanoQ是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。
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