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纳秒脉冲半导体光源NanoQ

纳秒脉冲半导体光源NanoQ是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。

提供纳秒级半导体脉冲光输出，用于 TRPL、光探测器瞬态响应、光电动力学及其他时间分辨测量。

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产品简介

纳秒脉冲半导体光源NanoQ是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒和连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。NanoQ系列是纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，可实现时间分辨光谱、激发态寿命、瞬态光电导等测试功能，常用于研究荧光粉、染料、有机半导体、钙钛矿、量子点等。

产品特点

□ 覆盖紫外-可见-近红外波段

□ 高重复频率

□ 输出功率灵活多变

□ 窄工作脉冲

□ 可视界面，易于操作

□ 同步触发输出

□ 体积紧凑

□ 兼容外部触发

□ 光纤耦合

□ 良好的稳定性

产品应用

□ 时间分辨荧光光谱

□ 瞬态光电流/光电压

□ 激发态寿命

□ 稳态荧光光谱

□ 光催化

□ 荧光成像

□ 激光测距

□ 空间光路搭建等

规格型号

功率等级

Class3（建议所有产品均按此等级进行防护）

供电

电压：15V；电流：1.2A

触发输入

SMA,VIL=0.4V（典型）；VIH=3.3V（典型）

触发输出

SMA,Vpp=800mV（典型）

联锁输入

SMA

钥匙开关

有

底部装配孔

M6*1，M4*2

工作温度

-10°C-45°C（不结露）

存储温度

-25°C-70°C

冷却

自然冷却

尺寸

整体：150mm长*75mm宽*60mm高；圆筒：30mm*38mm

重量

685g

选配件

1. 符合SMA/FC结构标准的光纤耦合件；2. 激光器安装支架

专业名词解析

纳秒脉冲半导体光源： 纳秒脉冲半导体光源以纳秒级脉宽输出，可用于时间分辨荧光、瞬态光电导和探测器响应测试；

TTL触发： TTL触发以数字电平同步光源与采集设备。触发延迟和抖动会影响寿命和瞬态实验的时间精度；

重复频率： 重复频率表示单位时间内脉冲数量。它影响平均功率、热负载、采样速度和寿命实验中的周期重叠；

时间抖动： 时间抖动是脉冲或触发到达时间的随机波动。抖动会展宽系统响应并限制快过程测量；

峰值功率与平均功率： 峰值功率反映脉冲瞬时强度，平均功率反映长时间能量输入。两者应同时报告，避免误判样品热效应或非线性响应；

光纤输出： 光纤输出便于与光谱仪、显微镜或封闭样品仓耦合，但光纤端面、弯折和数值孔径会影响功率与光斑；

时间分辨荧光： 时间分辨荧光记录脉冲激发后发光随时间衰减的过程，用于分析激发态寿命、能量转移和复合动力学；

瞬态光电导： 瞬态光电导记录光激发后电导随时间变化，可用于分析载流子产生、迁移、复合和陷阱过程。

常见问题

纳秒脉冲半导体光源 NanoQ是纳秒脉冲半导体光源，用于覆盖纳秒脉冲工作模式，可与光谱仪和光纤系统耦合。理解该设备时，重点关注纳秒脉冲半导体光源、TTL触发、重复频率、时间抖动、峰值功率与平均功率等概念。TRPL、探测器响应和瞬态光电测试需要纳秒级激发、同步触发和较低时间抖动。

1. 问：纳秒脉冲半导体光源 NanoQ是什么设备，主要解决什么测试问题？

答：NanoQ是纳秒脉冲半导体光源，用于时间分辨光谱、激发态寿命和瞬态光电特性测试。覆盖纳秒脉冲工作模式，可与光谱仪和光纤系统耦合。

2. 问：纳秒脉冲半导体光源 NanoQ在当前科研热点中主要关注哪些数据？

答：TRPL、探测器响应和瞬态光电测试需要纳秒级激发、同步触发和较低时间抖动。数据阅读时建议把纳秒脉冲半导体光源、TTL触发、重复频率与纳秒脉冲条件对应起来；若涉及时间抖动或峰值功率与平均功率，还应记录校准状态、空白/对照结果和采集窗口，便于不同批次结果比较。

3. 问：纳秒脉冲半导体光源在该设备测试中如何定义和使用？

答：纳秒脉冲半导体光源以纳秒级脉宽输出，可用于时间分辨荧光、瞬态光电导和探测器响应测试。在纳秒脉冲半导体光源 NanoQ相关实验中，该术语通常用于限定测试对象、信号来源或结果判读边界，需要与样品结构、实验条件和原始记录一起说明。

4. 问：TTL触发和重复频率会如何影响实验结果？

答：TTL触发以数字电平同步光源与采集设备。触发延迟和抖动会影响寿命和瞬态实验的时间精度。重复频率表示单位时间内脉冲数量。它影响平均功率、热负载、采样速度和寿命实验中的周期重叠。两者共同影响结果判读，不能只比较最终数值。

5. 问：开展纳秒脉冲半导体光源测试前，哪些条件必须提前确认？

答：应确认样品形态、目标变量、环境条件、连接或耦合方式、校准记录和数据输出格式。对于纳秒脉冲半导体光源 NanoQ，还需重点核对时间抖动、峰值功率与平均功率以及仪器状态是否稳定。

6. 问：如何提高纳秒脉冲半导体光源 NanoQ数据的重复性？

答：建议固定样品制备批次、装样方式、光路或电学连接、采集参数和数据处理流程；同时保留空白、对照和重复测量结果，避免只用单次数据支撑结论。

7. 问：时间抖动相关结果为什么容易误判？

答：时间抖动是脉冲或触发到达时间的随机波动。抖动会展宽系统响应并限制快过程测量。误判常来自本底信号、环境漂移、连接状态、模型假设或样品状态变化，应通过空白测试、条件反转和重复采集排查。

8. 问：围绕峰值功率与平均功率，怎样设计更容易复核的实验？

答：先固定纳秒脉冲相关基础条件，再只改变一个目标变量；若结果依赖模型，应报告模型假设、拟合残差和参数不确定度。

9. 问：研究人员解读纳秒脉冲半导体光源 NanoQ结果时，如何避免过度结论？

答：应先确认测试条件是否满足方法假设，再结合光纤输出、时间分辨荧光和独立表征交叉判断。单一数值、单张图或一次测试不足以支持完整机理结论。

10. 问：科研用户阅读纳秒脉冲半导体光源 NanoQ相关数据时，应优先关注哪些信息？

答：应优先关注纳秒脉冲、TRPL、纳秒脉冲半导体光源、TTL触发和重复频率对应的测试条件、原始信号、校准方式和误差来源。只有这些信息完整，数据才便于复核和比较。

产品关键词：纳秒脉冲半导体光源,纳秒脉冲半导体光源 NanoQ,NanoQ,纳秒脉冲,TRPL,同步触发,瞬态光电,TTL触发,重复频率,时间抖动,峰值功率与平均功率,光纤输出,时间分辨荧光,瞬态光电导,NanoQ测试原理,NanoQ常见问题,NanoQ数据分析

NLD系列

NLD系列（405-1550 nm）

型号

中心波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

脉冲宽度 [FWHM,ns]

脉冲能量

(nJ)

平均功率 [@100kHz,mW]

NLD 405A

405

＜10

＜20

2

0.2

NLD 405B

405

＜20

7

0.7

NLD 450A

450

＜10

＜20

1.6

0.16

NLD 450B

450

＜20

32

3.2

NLD 515

515

＜10

＜20

0.7

0.07

NLD 520A

520

＜10

＜20

0.4

0.04

NLD 520B

520

＜20

1.6

0.16

NLD 635A

635

＜10

＜20

0.5

0.05

NLD 635B

635

＜20

14

1.4

NLD 650A

650

＜10

＜20

2

0.2

NLD 650B

650

＜20

4

0.4

NLD 660

660

＜10

＜20

4

0.4

NLD 680

680

＜10

＜20

0.18

0.018

NLD 780A

780

＜10

＜20

0.2

0.02

NLD 780B

780

＜20

1.6

0.16

NLD 808A

808

＜10

＜20

1

0.1

NLD 808B

808

＜20

6

0.6

NLD 820

820

＜10

＜20

4

0.4

NLD 830A

830

＜10

＜20

1

0.1

NLD 830B

830

＜20

4.2

0.42

NLD 850A

850

＜10

＜20

10

1

NLD 850B

850

＜20

20

2

NLD 905

905

＜10

＜20

1

0.1

NLD 980A

980

＜10

＜20

4

0.4

NLD 980B

980

＜20

10

1

NLD 1064A

1064

＜10

＜20

1

0.1

NLD 1064B

1064

＜20

4

0.4

NLD 1490

1490

＜10

＜20

0.1

0.01

NLD 1550

1550

＜10

＜20

0.1

0.01


NLED系列

NLED系列（255-420 nm）

型号

峰值波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

脉冲宽度 [FWHM,ns]

脉冲能量

(nJ)

平均功率 [@100kHz,mW]

NLED 255

255

＜15

＜20

0.01

0.001

NLED 265A

265

＜15

＜20

0.01

0.001

NLED 265B

＜20

0.04

0.004

NLED 280

280

＜15

＜20

0.04

0.004

NLED 310A

310

＜15

＜20

0.04

0.004

NLED 310B

310

＜20

1

0.1

NLED 340A

340

＜15

＜20

0.03

0.003

NLED 340B

340

＜20

1.3

0.13

NLED 365A

365

＜15

＜20

0.2

0.02

NLED 365B

365

＜20

40

4

NLED 375A

375

＜15

＜20

0.4

0.04

NLED 375B

375

＜20

4.4

0.44

NLED 395A

395

＜15

＜20

0.8

0.08

NLED 395B

395

＜20

44

4.4

NLED 405A

405

＜15

＜20

22

2.2

NLED 405B

405

＜20

23.2

2.32

NLED 420

420

＜15

＜20

20.8

2.08


纳秒脉冲半导体光源NanoQ
纳秒脉冲半导体光源NanoQ是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。纳秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。

提供纳秒级半导体脉冲光输出，用于 TRPL、光探测器瞬态响应、光电动力学及其他时间分辨测量。
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