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微秒脉冲半导体光源Mic

微秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。微秒脉冲半导体光源，工作在脉冲状态，具有平均功率高、频率可调等优点

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产品简介

Mic是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒和连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。Mic系列是微秒脉冲半导体光源，工作在脉冲状态，具有平均功率高、频率可调等优点，可用于荧光光谱、荧光量子效率、磷光、探测器响应特性测试等应用场景。

产品特点

□ 覆盖紫外-可见-近红外波段

□ 频率可调

□ 高平均功率

□ 同步触发输出

□ 可视界面，易于操作

□ 兼容外部触发

□ 体积紧凑

□ 光纤耦合

□ 良好的稳定性


产品应用

□ 荧光光谱

□ 磷光寿命

□ 荧光量子产率

□ 磷光时间分辨光谱

□ 探测器响应

□ 荧光成像

□ 光致稳定性

□ 空间光路搭建等

产品规格



功率等级

Class 3（建议所有产品均按此等级进行防护）

供电

电压：15V，电流：1.2A

触发输入

SMA，VIL = 0.4V (典型) ，VIH = 3.3V (典型)

触发输出

SMA，VPP = 800mV (典型)

联锁输入

SMA

钥匙开关

有

底部装配孔

M6*1，M4*2

工作温度

-10 °C to 45 °C (不结露)

存储温度

-25 °C to 70 °C

冷却

风冷

尺寸

整体：150mm长*75mm宽*60mm高  圆筒：∅30mm x 38mm

重量

685g

选配件

1)        符合SMA/FC结构标准的光纤耦合件

2)        激光器安装支架





MLD系列

MLD系列（405-1550 nm）

型号

峰值波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

平均功率

[@稳态,mW]

MLD 405A

405

＜10

100

MLD 405B

405

350

MLD 450A

450

＜10

80

MLD 450B

450

1600

MLD 515

515

＜10

35

MLD 520A

520

＜10

20

MLD 520B

520

80

MLD 635A

635

＜10

25

MLD 635B

635

700

MLD 650A

650

＜10

100

MLD 650B

650

200

MLD 660

660

＜10

200

MLD 680

680

＜10

9

MLD 780A

780

＜10

10

MLD 780B

780

80

MLD 808A

808

＜10

50

MLD 808B

808

300

MLD 820

820

＜10

200

MLD 830A

830

＜10

50

MLD 830B

830

210

MLD 850A

850

＜10

500

MLD 850B

850

1000

MLD 905

905

＜10

50

MLD 980A

980

＜10

200

MLD 980B

980

500

MLD 1064A

1064

＜10

50

MLD 1064B

1064

200

MLD 1490

1490

＜10

5

MLD 1550

1550

＜10

5


MLED系列

MLED系列（255-420 nm）

型号

峰值波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

平均功率

[@稳态,mW]  

MLED 255

255

＜15

0.5

MLED 265A

265

＜15

0.5

MLED 265B

2

MLED 280

280

＜15

2

MLED 310A

310

＜15

2

MLED 310B

310

50

MLED 340A

340

＜15

1.5

MLED 340B

340

65

MLED 365A

365

＜15

10

MLED 365B

365

2000

MLED 375A

375

＜15

20

MLED 375B

375

220

MLED 395A

395

＜15

40

MLED 395B

395

2200

MLED 405A

405

＜15

1100

MLED 405B

405

1160

MLED 420

420

＜15

1040


微秒脉冲半导体光源Mic
微秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。微秒脉冲半导体光源，工作在脉冲状态，具有平均功率高、频率可调等优点
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