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微秒脉冲半导体光源Mic

微秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。微秒脉冲半导体光源，工作在脉冲状态，具有平均功率高、频率可调等优点

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产品简介

Mic是东谱科技面向高端光学应用推出的新一代紧凑型半导体光源，它们均包含基于半导体激光器和UVLED技术的两个系列。这些产品，从频域上，覆盖了紫外–可见–近红外的宽波段；从脉冲宽度上，覆盖了皮秒、纳秒、微秒和连续的工作模式。同时，均搭载同步触发输出和灵活的外部触发输入功能，既可以作为单独激光模组使用，灵活搭建空间光路，实现客户个性化的需求；也可以与各种光谱仪和光纤系统进行耦合。Mic系列是微秒脉冲半导体光源，工作在脉冲状态，具有平均功率高、频率可调等优点，可用于荧光光谱、荧光量子效率、磷光、探测器响应特性测试等应用场景。

产品特点

□ 覆盖紫外-可见-近红外波段；

□ 高平均功率；

□ 可视界面，易于操作；

□ 体积紧凑；

□ 良好的稳定性；

□ 频率可调；

□ 同步触发输出；

□ 兼容外部触发；

□ 光纤耦合；

□ 提供微秒级脉冲激发，便于控制平均功率和热负载；

□ 支持与光谱仪、光纤系统和同步采集设备耦合；

□ 可用于磷光、长余辉、慢瞬态光电和光化学响应研究。

产品应用

□ 荧光光谱

□ 磷光寿命

□ 荧光量子产率

□ 磷光时间分辨光谱

□ 探测器响应

□ 荧光成像

□ 光致稳定性

□ 空间光路搭建等

产品规格

功率等级

Class 3（建议所有产品均按此等级进行防护）

供电

电压：15V，电流：1.2A

触发输入

SMA，VIL = 0.4V (典型) ，VIH = 3.3V (典型)

触发输出

SMA，VPP = 800mV (典型)

联锁输入

SMA

钥匙开关

有

底部装配孔

M6*1，M4*2

工作温度

-10 °C to 45 °C (不结露)

存储温度

-25 °C to 70 °C

冷却

风冷

尺寸

整体：150mm长*75mm宽*60mm高  圆筒：∅30mm x 38mm

重量

685g

选配件

(1) 符合SMA/FC结构标准的光纤耦合件

(2) 激光器安装支架

专业名词解析

微秒脉冲： 微秒脉冲持续时间位于微秒量级，适合长寿命发光、光化学调制和慢光电响应研究；

准连续激发： 准连续激发使用较长脉冲或较高占空比模拟连续照明，同时保留触发控制能力。需关注平均功率和热积累；

占空比： 占空比是脉冲周期内高电平持续时间占比。它影响平均功率、样品热负载和光化学累积效应；

同步触发： 同步触发用于让光源、探测器和采集系统在同一时间基准下工作。瞬态实验中触发稳定性直接影响时间分辨；

峰值功率与平均功率： 峰值功率反映脉冲瞬时强度，平均功率反映长时间能量输入。两者应同时报告，避免误判样品热效应或非线性响应；

热管理： 热管理用于控制光源芯片、驱动器或样品因光照产生的温升。温度变化会改变输出功率、波长和样品状态；

外部调制： 外部调制通过TTL、模拟信号或机械调制控制光源输出。它用于锁相检测、瞬态响应和同步扫描；

长寿命发光： 长寿命发光包括磷光、延迟荧光和长余辉等过程，时间尺度可从微秒到秒级。激发脉冲、背景和采集窗口会影响结果。

常见问题

微秒脉冲半导体光源 Mic是微秒脉冲半导体光源，用于提供微秒级脉冲激发，便于控制平均功率和热负载。理解该设备时，重点关注微秒脉冲、准连续激发、占空比、同步触发、峰值功率与平均功率等概念。室温磷光、长余辉材料和慢光电响应研究需要比纳秒光源更长、热负载更可控的脉冲激发。

1. 问：微秒脉冲半导体光源 Mic是什么设备，主要解决什么测试问题？

答：Mic是微秒脉冲半导体光源，用于长寿命发光、慢光电响应、光化学调制和准连续激发实验。提供微秒级脉冲激发，便于控制平均功率和热负载。

2. 问：微秒脉冲半导体光源 Mic在当前科研热点中主要关注哪些数据？

答：室温磷光、长余辉材料和慢光电响应研究需要比纳秒光源更长、热负载更可控的脉冲激发。数据阅读时建议把微秒脉冲、准连续激发、占空比与微秒脉冲条件对应起来；若涉及同步触发或峰值功率与平均功率，还应记录校准状态、空白/对照结果和采集窗口，便于不同批次结果比较。

3. 问：微秒脉冲在该设备测试中如何定义和使用？

答：微秒脉冲持续时间位于微秒量级，适合长寿命发光、光化学调制和慢光电响应研究。在微秒脉冲半导体光源 Mic相关实验中，该术语通常用于限定测试对象、信号来源或结果判读边界，需要与样品结构、实验条件和原始记录一起说明。

4. 问：准连续激发和占空比会如何影响实验结果？

答：准连续激发使用较长脉冲或较高占空比模拟连续照明，同时保留触发控制能力。需关注平均功率和热积累。占空比是脉冲周期内高电平持续时间占比。它影响平均功率、样品热负载和光化学累积效应。两者共同影响结果判读，不能只比较最终数值。

5. 问：开展微秒脉冲半导体光源测试前，哪些条件必须提前确认？

答：应确认样品形态、目标变量、环境条件、连接或耦合方式、校准记录和数据输出格式。对于微秒脉冲半导体光源 Mic，还需重点核对同步触发、峰值功率与平均功率以及仪器状态是否稳定。

6. 问：如何提高微秒脉冲半导体光源 Mic数据的重复性？

答：建议固定样品制备批次、装样方式、光路或电学连接、采集参数和数据处理流程；同时保留空白、对照和重复测量结果，避免只用单次数据支撑结论。

7. 问：同步触发相关结果为什么容易误判？

答：同步触发用于让光源、探测器和采集系统在同一时间基准下工作。瞬态实验中触发稳定性直接影响时间分辨。误判常来自本底信号、环境漂移、连接状态、模型假设或样品状态变化，应通过空白测试、条件反转和重复采集排查。

8. 问：围绕峰值功率与平均功率，怎样设计更容易复核的实验？

答：先固定微秒脉冲相关基础条件，再只改变一个目标变量；若结果依赖模型，应报告模型假设、拟合残差和参数不确定度。

9. 问：研究人员解读微秒脉冲半导体光源 Mic结果时，如何避免过度结论？

答：应先确认测试条件是否满足方法假设，再结合热管理、外部调制和独立表征交叉判断。单一数值、单张图或一次测试不足以支持完整机理结论。

10. 问：科研用户阅读微秒脉冲半导体光源 Mic相关数据时，应优先关注哪些信息？

答：应优先关注微秒脉冲、长寿命发光、微秒脉冲、准连续激发和占空比对应的测试条件、原始信号、校准方式和误差来源。只有这些信息完整，数据才便于复核和比较。

产品关键词：微秒脉冲半导体光源,微秒脉冲半导体光源 Mic,Mic,微秒脉冲,长寿命发光,占空比,热管理,准连续激发,同步触发,峰值功率与平均功率,外部调制,Mic测试原理,Mic常见问题,Mic数据分析

MLD系列

MLD系列（405-1550 nm）

型号

峰值波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

平均功率

[@稳态,mW]

MLD 405A

405

＜10

100

MLD 405B

405

350

MLD 450A

450

＜10

80

MLD 450B

450

1600

MLD 515

515

＜10

35

MLD 520A

520

＜10

20

MLD 520B

520

80

MLD 635A

635

＜10

25

MLD 635B

635

700

MLD 650A

650

＜10

100

MLD 650B

650

200

MLD 660

660

＜10

200

MLD 680

680

＜10

9

MLD 780A

780

＜10

10

MLD 780B

780

80

MLD 808A

808

＜10

50

MLD 808B

808

300

MLD 820

820

＜10

200

MLD 830A

830

＜10

50

MLD 830B

830

210

MLD 850A

850

＜10

500

MLD 850B

850

1000

MLD 905

905

＜10

50

MLD 980A

980

＜10

200

MLD 980B

980

500

MLD 1064A

1064

＜10

50

MLD 1064B

1064

200

MLD 1490

1490

＜10

5

MLD 1550

1550

＜10

5


MLED系列

MLED系列（255-420 nm）

型号

峰值波长

[nm]

光谱线宽

[FWHM,nm]

平均功率

[@稳态,mW]  

MLED 255

255

＜15

0.5

MLED 265A

265

＜15

0.5

MLED 265B

2

MLED 280

280

＜15

2

MLED 310A

310

＜15

2

MLED 310B

310

50

MLED 340A

340

＜15

1.5

MLED 340B

340

65

MLED 365A

365

＜15

10

MLED 365B

365

2000

MLED 375A

375

＜15

20

MLED 375B

375

220

MLED 395A

395

＜15

40

MLED 395B

395

2200

MLED 405A

405

＜15

1100

MLED 405B

405

1160

MLED 420

420

＜15

1040


微秒脉冲半导体光源Mic
微秒脉冲半导体光源，具有纳秒级脉冲宽度、高单脉冲能量、高瞬态功率等特点，常用于研究光催化,太阳能电池,荧光粉,染料,有机半导体,钙钛矿,量子点等,可实现时间分辨光谱,激发态寿命,瞬态光电特性等测试功能。微秒脉冲半导体光源，工作在脉冲状态，具有平均功率高、频率可调等优点
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