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多功能光电器件测试仪 UltraTran

多功能光电测试仪UltraTran(含深能级瞬态谱仪)用于测试光电器件的特性,如阻抗谱、深能级瞬态谱灯。DLTS功能主要用于测试半导体材料器件深能级瞬态谱DLTS。评估半导体深能级陷阱的浓度和热发射率。

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产品简介

多功能光电器件测试仪 UltraTran是一款多功能光电器件测试平台,超过16项测试功能参数,国内唯一能提供对标FLUXIM Piaos的产品。用于综合分析半导体、光伏与发光器件的陷阱态、迁移率、阻抗和瞬态响应。系统集成DLTS、CELIV、TPV/TPC、阻抗谱、CV及电致发光等多类方法。该设备是一款集成了多种光电测试功能的仪器设备,专门针对半导体材料和器件的电学与光电特性进行精确测量,尤其适用于发光(OLED、PeLED等)与光伏器件(OPV、晶硅PV、异质结叠层PV等),该设备核心功能包括:

(1) 斜坡电压电流测试(Ramp-IV)、阶梯电压电流测试(Step- IV)和脉冲电压电流测试(Pulse-IV)。这些测试模式使得用户能够以不同的电学激励方式对样品进行扫描,从而获得关于样品在不同激励下的电学性质。Ramp-IV以连续的方式提供电压扫描,适用于捕捉材料响应的连贯变化;Step-IV则以逐步阶梯的方式提供电压,适合观察材料在不同电压阶跃下的稳态行为;而Pulse-IV通过短时的电压脉冲,允许研究器件的动力学IV特性,也可以有效减少器件的热阻,增加器件的最大注入电流;

(2) UltraTran还提供了开关瞬态光电流(on-off TPC)和开关瞬态光电压(on-off TPV)测试,这些功能适合于研究材料在光照激发下的上升和下降过程【瞬态光电流/光电压/光电荷测试参考我司TranPVC产品】;

(3) 暗注入瞬态特性测试(DIT)和深能级瞬态谱(DLTS)是可以用于探测和分析半导体中的陷阱和缺陷状态。DLTS技术尤为擅长于识别和量化材料中的微小缺陷浓度,为改善半导体材料质量提供关键信息;

(4) 设备还支持暗态线性增压电荷抽取测试(Dark-CELIV)和光态线性增压电荷抽取测试(Photo-CELIV),这两种模式能够测定电荷在半导体内的传输和复合机制,得到迁移率等参数;

(5) 等效电荷抽取测试(CE),可以研究器件的电荷浓度;

(6) 阻抗谱测试(IS)、电容电压测试(CV)等功能则为设备增加了额外的维度,使其能够全面评估材料的阻抗和介电性能;

(7) 强度调制光电流谱(IMPS)和强度调制光电压谱(IMVS)为研究者提供了一种独特的方法来探究材料对光强变化的频率响应,这对于光伏材料和应用尤为重要;

(8) 电致发射谱(ELS)为研究材料的电致发光特性,得到光谱、色坐标等参数。

产品特点

□ 国内首款集成化测试设备,集成超16种光电测试功能,同时适用电光转换和光电转换器件,如发光(OLED、PeLED等)与光伏器件(OPV、晶硅PV、异质结叠层PV等);

□ 可在手套箱场景使用,并可灵活耦合液氮、液氦等变温恒温器开展温度依赖测试;

□ 可以灵活耦合变温恒温器进行变温测试;

□ 集成IV、脉冲IV、on-off TPV/TPC、CE、CELIV、阻抗谱、CV、DLTS、IMPS/IMVS及电致发光等16类以上功能;

□ 频率范围覆盖10 mHz-10 MHz,采样率达到250 MS/s,时间分辨率达到5 ns。

测试功能

□ I-V测试;

□ ON/OFF TPV/TPC测试;

□ 电荷抽取测试CE;

□ 线性增压载流子测试CELIV;

□ 脉冲电压测试;

□ 阻抗谱IS;

□ 瞬态电致测试TranEL;

□ 深能级瞬态光谱DLTS;

□ 强度调制光电流谱/光电压谱IMPS/IMPV;

□ 调制电致发光光谱MES。

产品应用

□ 半导体:有机半导体、金属-有机框架、共价有机框、钙钛矿材料、二维材料、元素半导体(Si、Ge等)、化合物半导(InGaAs等)、宽带隙第三代半导体、量子点半导体、其它半导体材料;

□ 光伏材料器件;

□ 发光材料器件;

□ 光催化材料器件。

功能模块

多功能光电器件测试仪UltraTran

功能

是否标配

电光转换器件选配

光电转换器件选配

斜坡电压电流测试(Ramp-IV)



阶梯电压电流测试(Step-IV)



脉冲电压电流测试(Pulse-IV)



开关瞬态光电流(on-off TPC)

×


开关瞬态光电压(on-off TPV)

×


暗注入瞬态特性测试(DIT)



深能级瞬态谱(DLTS)



暗态线性增压电荷抽取测试(Dark-CELIV)



光态线性增压电荷抽取测试(Photo-CELIV)

×

电荷抽取测试(CE)

×


阻抗谱测试(IS)



电容电压测试(CV)



强度调制光电流谱(IMPS)

×


强度调制光电压谱(IMVS)

×


电致发射谱(ELS)

×


性能参数

采样率

250MS/s

时间分辨率

5ns

频率范围

10 mHz to 10 MHz

电压范围

±12V

电流范围

0~100 mA

最小电流分辨率

≤100pA

光电探测模块

波长范围:350nm-1100nm;上升时间:14ns。

LED光源模块

色温:6500K;波长范围:400nm-700nm;

变温模块

根据需要配置液氮低温恒温器、液氦低温恒温器等

专业名词解析

深能级瞬态谱DLTS: 深能级瞬态谱(DLTS)通过温度相关的电容或电流瞬态分析半导体深能级缺陷。陷阱能级和捕获截面提取依赖模型、温度扫描和信号质量;

界面态密度DIT: 界面态密度(DIT)描述半导体界面单位能量范围内的电子态数量。DIT影响器件复合、阈值和稳定性,测量方法与等效模型需明确;

CELIV: 线性增加电压载流子抽取(CELIV)通过线性电压斜坡抽取载流子,用于分析迁移率和电荷密度。迁移率提取依赖器件厚度、电压斜率和波形模型;

电化学阻抗谱EIS: 电化学阻抗谱(EIS)测量器件对不同频率小交流扰动的响应,用等效电路或物理模型分析电阻、电容和界面过程。参数解释高度依赖模型合理性;

IMPS与IMVS: IMPS和IMVS分别测量调制光照下的光电流和光电压频率响应,用于研究传输、复合和界面动力学。频率范围和工作点应与研究过程匹配。

常见问题

UltraTran是一款多功能光电器件测试平台,用于综合分析半导体、光伏与发光器件的陷阱态、迁移率、阻抗和瞬态响应。理解UltraTran时,重点关注深能级瞬态谱DLTS、界面态密度DIT、CELIV、电化学阻抗谱EIS和IMPS与IMVS。DLTS、DIT、CELIV、EIS和IMPS/IMVS分别对不同缺陷、输运和频率过程敏感。单一模型容易产生非唯一解释,交叉验证有助于提高结论可信度。

1. 问:UltraTran是什么设备,核心测量或功能是什么?

答:UltraTran是一款多功能光电器件测试平台,用于综合分析半导体、光伏与发光器件的陷阱态、迁移率、阻抗和瞬态响应。集成IV、脉冲IV、on-off TPV/TPC、CE、CELIV、阻抗谱、CV、DLTS、IMPS/IMVS及电致发光等16类以上功能。开展实验前,应先明确希望比较的指标、工作条件和数据输出,再据此设计UltraTran的测量流程。

2. 问:深能级瞬态谱DLTS是什么?

答:深能级瞬态谱(DLTS)通过温度相关的电容或电流瞬态分析半导体深能级缺陷。陷阱能级和捕获截面提取依赖模型、温度扫描和信号质量。

3. 问:如何正确理解界面态密度DIT,常见误区是什么?

答:界面态密度(DIT)描述半导体界面单位能量范围内的电子态数量。DIT影响器件复合、阈值和稳定性,测量方法与等效模型需明确。常见误区是只比较最终数值,却忽略测试条件、校准状态或样品差异。使用UltraTran进行跨样品比较时,应保证关键条件一致并报告不确定度。

4. 问:多种器件机理方法为什么需要交叉验证?

答:DLTS、DIT、CELIV、EIS和IMPS/IMVS分别对不同缺陷、输运和频率过程敏感。单一模型容易产生非唯一解释,交叉验证有助于提高结论可信度。

5. 问:UltraTran测试中,哪些实验条件最影响结果?

答:不同方法应在同一器件、温度和偏置条件下测试,便于参数交叉验证。还应记录与界面态密度DIT和电化学阻抗谱EIS相关的设置,因为这些条件可能改变信号幅值、时间尺度、空间分布或计算结果。缺少条件记录时,即使曲线外观相似,也不宜直接比较。

6. 问:如何提高UltraTran数据的重复性和跨样品可比性?

答:阻抗、DLTS、CELIV 和瞬态结果需分别说明模型、频率或时间窗口。建议设置空白、标准样品或重复样品,固定采集设置、校准方式和数据处理流程,并保留原始数据与完整元数据。批量测试还应监测系统随时间的漂移。

7. 问:针对CELIV,怎样设计一组更容易复核的实验?

答:先固定样品制备和UltraTran的基础采集条件,再只改变一个目标变量;随后进行重复测量、条件反转或对照实验,并检查原始数据是否支持同一趋势。若CELIV的解释依赖模型,应同时报告模型假设、拟合残差和参数不确定度。

8. 问:电化学阻抗谱EIS为什么容易造成误判?如何排查?

答:电化学阻抗谱(EIS)测量器件对不同频率小交流扰动的响应,用等效电路或物理模型分析电阻、电容和界面过程。参数解释高度依赖模型合理性。排查时可从仪器校准、背景与空白、信号强度依赖、时间或空间重复性四个方面入手。只有误差来源被控制后,UltraTran结果才适合用于机理讨论。

9. 问:IMPS与IMVS与当前研究热点有什么关系?

答:IMPS和IMVS分别测量调制光照下的光电流和光电压频率响应,用于研究传输、复合和界面动力学。频率范围和工作点应与研究过程匹配。该问题连接UltraTran测量与当前科研中的性能比较、过程追踪或可靠性评价。报告结果时,应给出明确实验条件和判断边界,避免把相关性写成因果关系。

10. 问:研究人员解读UltraTran结果时,如何避免过度结论?

答:应先确认测试条件与方法假设,再结合CELIV、电化学阻抗谱EIS及独立表征交叉判断。单一数值、单张图谱或一次测试通常不足以支持完整机理结论;重复实验、对照组和原始数据质量比结论措辞更重要。

产品关键词:深能级瞬态谱仪,深能级能谱仪,多功能载流子特性分析系统,半导体参数测试,载流子特性分析系统,强度调制光电流谱,强度调制光电压谱,DLTS,线性增压测试,线性增压载流子抽取,阻抗谱分析仪,电容电压测试

Product Keywords: Deep level transient Spectrometer, deep level energy spectrometer, multi-function carrier characteristic analysis system, semiconductor parameter testing, carrier characteristic analysis system, intensity modulated photocurrent spectrum, intensity modulated photovoltage spectrum, DLTS, linear boost test, linear boost carrier Extraction, impedance spectrum analyzer, capacitor voltage test

多功能光电器件测试仪 UltraTran
多功能光电测试仪UltraTran(含深能级瞬态谱仪)用于测试光电器件的特性,如阻抗谱、深能级瞬态谱灯。DLTS功能主要用于测试半导体材料器件深能级瞬态谱DLTS。评估半导体深能级陷阱的浓度和热发射率。
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