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11月【第一周】发光方向文献速览

作者:东谱科技 浏览: 发表时间:2025-11-07 14:23:48



01

双轴极化分子插层实现高效率、高色稳定性钙钛矿发光二极管

本文提出在界面引入双轴电荷极化分子bi-4-(N-咔唑基苯基)苯基氧化膦(BCPO)作为插层。BCPO的强表面配位作用不仅显著提升了金属卤化物钙钛矿(MHPs)发光层的缺陷钝化效果与结晶质量,还形成了垂直排列的偶极矩,诱导能带弯曲以促进电子注入。此外,其平面内分布的吸电子咔唑苯基单元与MHPs表面形成紧密的横向静电接触,有效抑制了卤素离子的界面逃逸。基于此,采用BCPO的PeLEDs实现了25.8%的最大外量子效率与13.4小时的T₅₀,EL寿命,是目前性能最优异的绿光PeLEDs之一。本工作通过分子结构设计与界面工程的协同策略,为实现高效、色稳定的PeLEDs开辟了新路径。

https://doi.org/10.1002/adfm.202519358


02

CsSnI₃微米晶立方体的异维外延生长实现高亮度高效近红外发光二极管

本研究提出一种表面模板策略,实现了CsSnI₃微米晶立方体的异维外延生长。这些三维单晶区域与埋底界面的二维外延钝化层共同作用,有效抑制了锡氧化并降低了缺陷密度。基于此结构制备的近红外发光二极管实现了152 W sr⁻¹ m⁻²的辐射亮度与8.11%的外量子效率,创造了无铅近红外发光器件的新纪录。

https://doi.org/10.1002/adma.202512927


03

多色PeLEDs的最新进展,颜色转换与串联结构实现多色钙钛矿发光二极管

本综述系统回顾了多色PeLEDs的最新进展,包括其工作原理、与其他发光技术的比较、可调多色与白光发射的潜力、相分离问题、无铅组分等。文章进一步探讨了关键器件工程策略,如单层白光发射、颜色图案化技术以及新兴的混合串联PeLEDs结构,旨在推动高效、稳定多色PeLEDs的发展。

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2590238525004606


04
聚合物机械化学诱导的圆偏振发光

本研究开创性地开发了聚合物中机械化学诱导的圆偏振发光(MICPL)技术。我们通过光聚合非手性机械感受体(马来酰亚胺与蒽衍生物的Diels-Alder加合物)与手性单体L-降冰片烯丙酸酯(LBA)交联,成功构建了聚合物网络。机械压缩会触发机械感受体的逆Diels-Alder反应,释放荧光团。关键在于,施加的力不仅促进了这些荧光团的聚集,还将压缩手性聚合物基质(PLBA)固有的非互易手性传递给聚集体,从而产生亮度与力相关的CPL发光,其发光不对称因子高达10⁻²。该策略的普适性通过一系列电子结构各异的机械感受体和共聚物基质得以验证,实现了从蓝紫色到绿色、黄色至橙色的可调CPL颜色,甚至通过三元体系获得白色CPL。在共聚物体系(如与非手性单体甲基丙烯酸酯共聚)中仍保留MICPL特性,展现出其作为多模态应力报告的宏观分子手性光学探针的潜力。这些发现解答了机械力调控手性的疑问,并为按需制备CPL材料提供了新平台。

https://doi.org/10.1002/anie.202517113


05

Sn4+介导的Bi3+在钛锗酸盐磷中的工程:健康照明应用的宽谱发射设计

本研究通过高温固态合成法开发了新型Bi3+掺杂Na2CaTi(Sn)2Ge3O12荧光粉。通过用Sn4+替代Ti4+,调控了Bi3+在Na+和Ca2+位点的多重占据,并结合晶体场强的变化,诱导出显著的发射光谱蓝移。成分优化实现了异常宽的半高全宽(FWHM0.3Sn=141 nm)和从12746 cm-1到8650 cm-1的连续斯托克斯位移调谐,使光谱覆盖范围达到400-750 nm。Sn4+的引入有效减少了晶格畸变,显著提高了热稳定性(活化能从0.34 eV增加到0.35 eV)。集成商用蓝光芯片与传统BAM:Eu2+和Y2O3:Eu3+荧光粉的白色LED器件表现出改进的性能,Ra=83.78,CCT为6065 K,色度坐标(0.3184,0.3767)。本工作为全光谱健康照明和植物工厂照明系统提供了高效稳定的解决方案。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.10.199


06

Cs4MnBi2Cl12钙钛矿:Mn2+桥接W4+近红外发射

本文提出了一种采用Mn2+作为能量桥来增强Cs4MnBi2Cl12四重钙钛矿中W4+敏感性的新策略。通过全面的结构和光致发光表征,我们证明了Mn2+的引入形成了有效的能量转移路径。该路径使W4+在约910 nm处产生强烈的NIR发射,覆盖800至1300 nm的光谱范围,半高全宽(FWHM)为181 nm。优化后的Cs4MnBi2Cl12:W4+在室温(298 K)下实现了69%的NIR内量子效率(IQE),显著优于大多数现有NIR发光金属卤化物。实验证据证实了能量转移序列[BiCl6]³⁻→[MnCl6]⁴⁻→[WCl6]²⁻,确立了Mn2+能量桥的作用,并实现了高达78%的最大能量转移效率。这项工作不仅为高性能NIR pc-LEDs提供了有前景的候选材料,还提出了一种设计高效NIR发光金属卤化物的新策略。

https://doi.org/10.1002/lpor.202501510


07

利用扭曲和平面结构的协同作用,开发NIR-II光热诊断剂

本研究采用“平面核心+扭曲外围”分子设计策略,成功开发出NIR-II光热诊疗剂4TPE-TB。该分子通过共面中心核心结构增强分子内偶联,同时配备四个高度扭曲的外围旋转基团以抑制有害的分子间堆积效应。4TPE-TB展现出4.0×10⁴M⁻¹cm⁻¹的高摩尔吸光系数,在长波长(980纳米)激发下,其荧光与光热性能均优于传统分子设计策略制备的同类化合物。将4TPE-TB制备成纳米颗粒后,我们在癌症模型中实现了高精度NIR-II FLI和高效PTT。研究发现纳米颗粒兼具直接肿瘤消融与免疫系统激活的双重作用,进一步验证了其作为癌症治疗平台的潜力。本研究揭示了NIR-II光热诊疗剂的成功设计原理,为提升癌症诊疗的精准度与疗效提供了新思路。

https://doi.org/10.1021/acsnano.5c04254


08
新型Eu掺杂SrLaGaO4荧光粉:高热稳定性,WLEDs与防伪油墨

本研究选择SrLaGaO4作为基质材料,在还原气氛(CO)下通过常规高温固相反应合成了一系列SrLaGaO4:Eu荧光粉。系统研究了所得荧光粉的相组成、光谱特性及其他相关性能。实验结果表明,Eu3+离子主要被还原为Eu2+,使合成的SrLaGaO4:Eu荧光粉在467 nm蓝光激发下产生中心波长为606 nm的橙红色发光。在150°C条件下,荧光粉保持初始发光强度的83.06%。在最佳掺杂条件下,其内部量子效率达到51.48%,荧光寿命为7.33毫秒。采用该荧光粉制备的WLED器件展现出优异的显色性能(Ra=86.9,CCT=3981 K),有效弥补了商用器件的红色不足。本研究还探索了SrLaGaO4:Eu荧光粉在防伪油墨中的应用。总体而言,研究结果证实SrLaGaO4:Eu是一种高效橙红色荧光粉,在暖白光LED和先进防伪技术领域具有广阔应用前景。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.10.349


09

仿生聚合物折叠体中螺旋反转的荧光可视化

本文报道了一种简便、快速且经济高效的方法,利用四苯乙烯功能化半菁染料直接观察并监测水溶性聚(m-亚苯基乙炔基)折叠体在溶剂驱动下的螺旋反转过程。通过调节溶剂环境,折叠体从M型螺旋转变为P型螺旋,染料的结合模式也随之从沟槽转变为表面。这种转变改变了限制程度和微环境极性,导致可见光发射颜色从黄色变为红色,标志着螺旋结构的反转。本研究为理解生物大分子构象转变提供了有力工具,并揭示了螺旋结构动态行为的奥秘。

https://doi.org/10.1002/anie.202512834


10

基于Tb3+掺杂荧光粉的玻璃闪烁体在高温X射线成像中的优异性能

本文基于热稳定荧光体,设计了一种新型基于荧光体的玻璃(PBG)闪烁体,其性能优异,适用于长时间X射线探测和高温X射线成像。所开发的Tb3+掺杂PBG闪烁体具有高透明度(542 nm时86%),呈现明亮的绿色光和高光致发光(PL)热稳定性,573 K时的PL强度保持96.2%的室温值。此外,Tb3+掺杂PBG闪烁体具有创纪录的XEL强度(达到Bi4Ge3O12(BGO)的404%)、优异的辐照抗性、最低检测限2.8µGyair/s以及34 lp/mm的超高空间分辨率。与商用的BGO和碘化铯:Tl(573 K时的XEL强度仅为303 K时的1%)相比,Tb3+掺杂PBG闪烁体在XEL中表现出零热猝灭行为,且573 K时的XEL强度完全保留其室温值。这些发现确立了Tb3+掺杂PBG作为恶劣环境下X射线成像的极具潜力的候选材料,并突显了PBG策略作为创建高度稳定且高效玻璃闪烁体的新途径。

https://doi.org/10.1002/lpor.202502368


11

通过长余辉掺杂实现全光加密的超灵敏负光导晶体管

本研究提出一种创新的体掺杂策略,通过将有机长余辉材料掺入聚合物半导体,成功制备出高性能负光导率晶体管(NPTs)。长余辉掺杂剂产生的长寿命电荷分离态能有效捕获聚合物半导体的栅极调制多数载流子,实现光敏性(5.29×10⁶)和探测度(3.40×10¹³琼斯)均达5.29×10⁶和3.40×10¹³的持续负光导率。该体掺杂策略同时形成大量捕获位点,使掺杂半导体薄膜内层载流子复合得以维持超高光敏性。值得注意的是,该策略可推广至多种掺杂-半导体体系。基于这些卓越性能,成功实现了负突触功能的模拟。为验证其实际应用潜力,将NPTs集成到循环神经网络(RNN)中实现全光加密/解密,系统准确率高达91%。本研究为高性能神经形态计算(NPC)设备构建了通用范式,为下一代光电子器件和安全神经形态系统的开发开辟了新路径。

https://doi.org/10.1002/adma.202514723


12
新型二苯并呋喃基交联空穴传输材料实现高性能蓝光量子点发光二极管

本研究设计合成了两种乙烯基交联型空穴传输材料:CBP-V与KFP-V。相较于CBP-V,KFP-V采用二苯并呋喃基团替代联苯基团,使其交联温度降至200°C并具备完全耐溶剂性。该材料展现出卓越的空穴传输性能,空穴迁移率达2×10⁻³ cm² V⁻¹ s⁻¹,最高占据分子轨道能级降至-5.95eV,有效降低了空穴传输层与量子点层间的注入势垒。基于KFP-V的溶液加工蓝光量子点发光二极管实现了优异性能:最大亮度达31432 cd m–2,外量子效率为16.67%。交联后的KFP-V还增强了深蓝光发射特性,其CIE色度坐标达到(0.15, 0.03)。该研究为理性设计交联型空穴传输材料以推进溶液加工蓝光量子点发光二极管发展提供了重要参考。

DOI: 10.1021/acs.jpclett.5c02795


13

动力学调控中间相锚定策略构建准二维钙钛矿均质化能量景观实现高效窄谱蓝光发射

本文通过形成强阳离子-π相互作用复合物,成功稳定了具有延缓低n相结晶特性的亚稳中间相,继而实现中n相的直接锚定结晶而不引发相分布展宽。在锚定过程中引入表面锚定配体,有效抑制了非辐射复合。最终获得的钙钛矿结构展现出高效天蓝光发射与108毫电子伏特的窄谱线宽。基于该结构的器件在489纳米波长处实现22.5%的最大外量子效率,并成功拓展至大面积像素和200微米×600微米有效面积的被动矩阵器件阵列。这一研究成果充分展现了钙钛矿发光二极管在全彩显示领域的应用潜力。

ttps://doi.org/10.1038/s41467-025-62863-y


14

基于相纯准二维层状钙钛矿的高效蓝光发光二极管

本文报道了一种通过协同键合策略抑制准二维钙钛矿中相分离来实现高效蓝光钙钛矿的方法。研究表明,引入二苯甲基膦酸能通过抑制钙钛矿中低n值相的形成,有效减轻激子-声子耦合诱导的非辐射复合。这主要归因于二苯甲基膦酸能够同时与无机[PbX₆]⁴⁻框架形成共价键并与有机间隔基形成氢键,从而调控钙钛矿中的相分布。此外,这种双重相互作用有效降低了钙钛矿的缺陷密度,并使钙钛矿的价带顶向上弯曲,进一步抑制了非辐射复合并降低了器件中的空穴注入势垒。这些改进使得高效蓝光钙钛矿发光二极管的实现成为可能,在发射波长分别为488纳米、480纳米和472纳米处实现了23.2%、22.0%和17.2%的峰值外量子效率。

DOI: 10.1021/acs.nanolett.5c04872


15

铋-锑共合金化通过结构限域效应调控(4FPEA)₄AgBi₁₋ₓSbₓI₈层状双钙钛矿的光激发态动力学

本研究侧重于识别二维大有机阳离子无铅钙钛矿衍生材料的关键激发态过程,以更好地量化晶格畸变与自陷激子介导发射之间的关系。这部分是通过铋与锑的 pnictogen 共合金化来实现的。在目标配方 (4FPEA)₄AgXI₈ 中,获得了 n = 1 Ruddlesden-Popper 相,这增加了结构的电子维度并影响了载流子动力学。此处 4FPEA = 4-氟苯乙铵。最近的研究发现,钙钛矿结构中的 pnictogen 共合金化可能导致结构重排减少,从而降低自捕获。这在二维钙钛矿中很重要,因为与三维结构相比,自捕获的势能垒较低。在 (4FPEA)₄AgBiI₈ 配方中引入铋|锑共合金化是一种合理的设计选择,旨在获得具有显著增强的载流子动力学的光化学稳定的无铅钙钛矿衍生材料。这些参数可以使用先进的光谱学方法进行评估,包括超快瞬态吸收光谱。更重要的是,据所知,先前尚无研究将 Bi/Sb 诱导的八面体畸变与亚纳秒自陷激子动力学相关联,特别是在引人入胜的自陷激子去布居动力学与激子结合能的背景下。

https://doi.org/10.1002/adom.202502557


16
序贯融合-挥发策略实现钙钛矿纳米晶原位生长助力高性能发光二极管

本文提出序贯融合-挥发策略,采用乙酸辛铵制备相纯立方相甲脒铅碘纳米晶薄膜。该配体凭借独特热特性实现自调控双阶段过程:退火过程中作为动态熔融助剂促进晶体完美化,而后完全挥发确保无残留缺陷钝化。该智能设计同步实现配体纯化与阴阳离子缺陷协同钝化,获得近红外钙钛矿发光二极管卓越性能:最高外量子效率达23.03%,在100毫安每平方厘米电流密度下工作寿命达30.2小时。此项研究为原位制备配体工程化纳米晶薄膜建立了新范式,为下一代高性能钙钛矿发光二极管开辟道路。

https://doi.org/10.1002/adom.202503040


17

双向极化分子夹层实现高效高色稳钙钛矿发光二极管

本文采用双向电荷极化分子BCPO构建界面层,其强表面配位作用不仅显著提升钙钛矿发光层的缺陷钝化效果与结晶质量,更通过建立高度有序的垂直偶极排列诱导能带弯曲,促进电子注入。同时,分子结构中电子 withdrawing 咔唑苯基单元通过平面几何构型与钙钛矿表面形成紧密横向静电接触,产生更强化学相互作用,有效抑制界面卤素离子逃逸。基于该策略优化的绿光钙钛矿发光二极管实现25.8%的最大外量子效率和13.4小时的工作寿命,性能指标位居已报道绿光器件前列。该研究通过分子结构设计与界面工程的协同创新,为同时实现高效高色稳钙钛矿发光二极管开辟了新途径,为解决其商业化关键难题提供了新方案。

https://doi.org/10.1002/adfm.202519358


18

低成本高效率全溶液加工钙钛矿发光二极管技术

本文展示了一种用于全溶液加工钙钛矿LED的有机溶剂的系统性溶剂筛选。筛选方案包括初步基于溶解度及其与钙钛矿量子点的相容性进行候选物选择,随后严格评估溶剂对钝化量子点和维持界面稳定性的影响。乙酸乙酯因其对TPBi的有效溶解度和保持界面完整性的卓越能力而成为旋涂TPBi的最佳选择。关键的是,EA-TPBi体系通过表面钝化显著增强了QD薄膜质量,PLQY增加和瞬态寿命延长证明了这一点。这种改进直接促进了界面处有效的载流子注入,最终协同增强了整体器件效率。上述功能协同增强了器件的效率。最终实现了全溶液加工钙钛矿LED,在691 nm处峰值EQE为4.04%,最大辐射亮度为8221 mW sr⁻¹ m⁻²。值得注意的是,与具有真空蒸镀ETL的器件相比,它们分别实现了材料成本、加工时间和设备费用82%、90%和95%的降低。这项工作为全溶液加工LED中溶剂筛选原理和功能层界面态调控提供了更深入的见解,从而为开发低成本、高性能的钙钛矿基光电器件铺平了道路。

https://doi.org/10.26599/NR.2025.94908215 


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