近期《通讯-物理学》发表的一项研究On the manifestation of electron-electron interactions in the thermoelectric response of semicrystalline conjugated polymers with low energetic disorder表明高迁移率半晶聚合物晶畴内和晶畴间的电荷输运不能用能量无序效应来描述。

半晶聚合物半导体的场效应迁移率可以媲美甚至超过非晶硅半导体，但是随着发展，用于描述这类材料电荷转移的以无序为基础的模型暴露出局限性，这主要是由于这些模型最初是为更无序、更低迁移率的聚合物而开发的。来自剑桥大学卡文迪许实验室的M. Statz、澳大利亚莫纳什大学X. Jiao、新墨西哥大学的D. Emin、剑桥大学日立剑桥实验室的R. Di Pietro及其合作者们共同撰文表明，电荷载流子密度和半晶聚合物P(NDI2OD-T2)中具有不同结晶度的场效应电子迁移率和Seebeck系数的温度依赖性与电荷输运受能量无序限制这一描述存在不相容之处。他们提供了低无序、窄带传导的直接证据。考虑空间不均匀的态密度和短程电子 - 电子相互作用可以自洽地解释所测量的迁移率和Seebeck系数。这些结果为通过增加晶畴延伸来改善聚合物半导体的热电效率提供了论据。