10月【第五周】发光方向文献速览-东谱科技

无溶剂擦拭转移的双界面分子定制钝化策略实现高效稳定钙钛矿发光二极管

本研究提出一种分子定制双界面钝化策略，采用无溶剂擦拭转移方法，实现均匀分子沉积且不诱发二次缺陷。具体而言，4-巯基吡啶（4-MPy）应用于埋底界面，2-巯基吡啶（2-MPy）应用于钙钛矿表面。在埋底界面，4-MPy稳定Ni³⁺态、减少氧空位并提升空穴注入效率；而在表面，2-MPy与未配位Pb²⁺有效配位，形成宽带隙复合物，抑制陷阱态并增强载流子限域。优化后的PeLEDs实现了24.67%的最大外量子效率和95.01 cd/A的电流效率，为溶液加工多晶CsPbBr₃基PeLEDs中最高值。此外，在初始亮度1000 cd/m²下，器件工作半衰期显著延长近10倍。

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.ady4671

通过将双对接发光体与聚集诱导发射效应相结合，提高共价有机框架的亮度

在本研究中，我们通过整合双对接AIEgens构建了高发光COFs。机理研究表明，这种整合有效限制了不希望的分子运动，并减少了向亚胺键的电荷转移，从而增强了荧光生成并提高了COFs的结晶度。一种基于苯并噻二唑的共价有机框架cofdpqp-BT展现出显著亮度，光致发光量子产率达36.5%，并成功应用于小鼠脑血管的体内三光子荧光成像，实现约1.2毫米的成像深度。本工作为发光COFs的设计提供了宝贵见解。

https://doi.org/10.1021/jacs.5c16217

用于柔性大面积印刷RGB发光二极管的分层塑化本征可拉伸全π共轭聚合物薄膜

本研究通过分层半导体流体塑化技术，实现了可贴合人体的FπCPs（PODPF）可拉伸薄膜的分层结构塑化，成功制备出柔性大面积印刷红绿蓝（RGB）聚合物发光二极管（PLEDs）。该技术通过增强薄膜中取代基振动、次级链内构象行为和三级链间滑移，实现了优异的弹塑性可拉伸性。其中，PODPF链的次级平面构象转变在较低临界退火温度下发生（从220℃降至140℃），三级链间滑移的出现确保了约30%的裂纹起始应变（提升三倍），从而实现优异的可拉伸性。基于PODPF共混薄膜的柔性大面积印刷RGB PLEDs展现出高亮度，其显色指数（CIE）分别为：蓝色（0.15,0.08）、绿色（0.30,0.60）和Red：0.64色（0.33）。最终，可拉伸的PODPF共混薄膜展现出优异的器件性能形变稳定性，即使在约30%的拉伸比下仍能保持稳定，这证实了分层结构增塑技术的有效性。

https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2025.101590

通过精确的核壳结构调节，从纤维素碳化聚合物点中产生红色和时间依赖性磷光颜色

本文提出了一种核心-壳层结构调控策略，用于激活纤维素碳化聚合物点（CPDs）的红色RTP和时间依赖性磷光颜色（TDPC）。CPDs展现出双重RTP发光体：具有官能团的聚合物壳层负责535 nm的绿色RTP，而具有共轭域的碳核则负责610 nm的红色RTP。通过调控核心-壳层结构，可精确调节两种发光体的比例。无论核心还是壳层结构主导RTP，CPDs都会呈现单调的绿色或红色余辉。值得注意的是，通过精准调控核心-壳层结构，可同时激活双重RTP发光体，从而实现从红色到绿色的动态TDPC变化。本研究揭示了纤维素CPDs核心-壳层双重发光中心的形成机制，为TDPC技术提供了高效简便的实现方法，并为信息加密和防伪领域开发可持续材料提供了新思路。

https://doi.org/10.1002/adfm.202517387

准二维钙钛矿LED中通过带对齐工程定制载流子动力学

本研究通过在（PEA）2CsPb2I7准二维薄膜中添加冠醚，有意优化相位分布从而实现能带排列的调控。实验表明，通过冠醚诱导相位分布变窄，可将能带排列从II型调控为I型，这显著增强了电子-声子耦合效应并提升了激子结合能。经冠醚处理的样品中，观察到载流子热冷却加速、俄歇复合抑制以及激子复合增强等现象。最终，得益于能带排列调控技术的应用，所制备的发光二极管外量子效率峰值从7.4%提升至20.1%。

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c04309

激光驱动双陶瓷转换器，实现高亮度白光

本研究通过在二次成型过程中引入聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为造孔剂，并采用惰性保护气氛下的二次烧结工艺，成功制备出双陶瓷转换器。该转换器由外层多孔陶瓷（68wt%Al2O3-(Gd0.1，Y2.90 AG）和内层小型透明荧光陶瓷（70wt%Al2O3-（Gd0.1，Y2.89）AG：0.01Ce）组成。得益于荧光陶瓷的微型化设计，以及高折射率多孔陶瓷提供的增强腔体效应和热传导性能，实际发光面积从7.75 mm²缩减至1.73 mm²，实现1969 1 m/mm²的光出射度——较传统荧光陶瓷提升607%——同时输出3407.6 lm、色温6000 K的白光。这项研究通过微观结构工程为陶瓷基色转换器建立了通用策略，成功解决了高功率固态照明中光通量与亮度的关键权衡问题。

https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2025.10.254

光热响应高对比度多色光致变色材料

本研究报道了一种掺杂Fe、Cr或Mn的BaMgSiO4：Co共掺杂体系，其在254纳米光照射下展现出显著的色对比度和丰富的色彩变化。特别值得注意的是，当Fe掺杂时，材料在254纳米光照射下呈现从浅蓝到浅紫的可见光色变，最大色对比度可达75.2%。此外，无论晴空还是阴天，该材料均能响应环境紫外线，其色对比度会随紫外线强度动态变化。更令人惊叹的是，随着温度升高，材料通过缺陷能级多层台阶式电子释放，实现了浅紫、灰、蓝三色的温度依赖性多色变化。这些突破性发现为设计多刺激响应型多色光致变色材料提供了新思路，为拓展光致变色材料的应用领域开辟了新途径。

https://doi.org/10.1002/adom.202502544

热蒸发掺镱磷铅氯化物近红外发光二极管中的激子局域化工程

本研究提出在热蒸发法制备的CsPbCl₃：Yb体系中，通过战略性调控局域束缚激子（BEs）的形成。研究表明，辅助型激子显著促进了CsPbCl₃基质向镱掺杂层的能量转移，揭示了此前未知的激子能量转移通道。结合原子尺度表征与第一性原理计算，我们发现了由激子主导的转移机制，其中铯空位诱导缺陷在调控激子行为中起关键作用。基于这些发现，我们成功制备出外量子效率达8.9%、辐射亮度410 mW·Sr⁻¹·m⁻²的高性能NIR发光二极管，这标志着热蒸发法制备的NIR（>950 nm）发光二极管领域取得了重大突破。

https://doi.org/10.1002/adma.202513853

静电相互作用驱动的卤素迁移抑制与缺陷钝化策略实现高性能准二维纯蓝光钙钛矿发光二极管

本文通过引入三氟乙酸-2-甲氧基乙胺（MeOEA-TFA）与卤素离子形成强静电相互作用，显著抑制了卤素迁移。MeOEA⁺中的-NH₃⁺基团与卤素离子产生静电相互作用，加之氧原子极化效应的增强，共同实现了对卤素离子的牢固锚定。同时，TFA⁻有效减少了n=1相并钝化铅缺陷。最终，成功制备出高效纯蓝光钙钛矿发光二极管，其最大外量子效率达7.41%，亮度为3123 cd/m²，工作寿命提升5倍，在474纳米发射波长下不同偏压下均保持稳定发光。

https://doi.org/10.1016/j.cej.2025.169998.

离子掺杂与原位液态配体钝化实现高性能纯红色钙钛矿发光二极管

本文开发了双策略方法：在非极性反溶剂（乙酸乙酯）中同步实现Mg²⁺掺杂与1,8-辛二硫醇原位钝化。Mg²⁺掺杂诱导晶格收缩，抑制碘空位形成并增强相稳定性；同时1,8-辛二硫醇以短链HS-末端配体取代绝缘长链配体，有效钝化缺陷并提升薄膜电导率。该方法避免了极性溶剂损伤，保持了纳米晶结构完整性。所得CsPbBrₓI₃₋ₓ纳米晶制备的纯红色发光二极管发射峰位于635纳米，峰值外量子效率达24.2%，最大亮度14,406 cd/m²，半衰期69分钟，并具有优异的光谱稳定性。这种协同掺杂与配体工程策略为新一代显示应用中的高性能钙钛矿发光二极管提供了可规模化制备的解决方案。

https://doi.org/10.1002/adom.202501902

自组装单层膜实现手性钙钛矿红色自旋发光二极管与圆偏振发光

本文首次成功将自组装单层膜（例如MeO-2PACz）引入空穴传输层（氧化镍，NiOx）与p型碘化铅基手性杂化钙钛矿（即(R-/S-p-F-MBA)₂Cs₁FA₁Pb₃I₁₀）之间的界面，用于制备红色自旋发光二极管。通过这种定制的界面，自旋发光二极管的性能在电荷与自旋两方面均得到显著提升，其当前性能位居所有红色自旋发光二极管的前列。据我们所知，这是首项揭示自组装单层膜对(R-/S-p-F-MBA)₂Cs₁FA₁Pb₃I₁₀磁手性光学性质及自旋发光二极管性能影响的研究。该手性杂化钙钛矿中未添加任何额外的手性材料与钝化试剂，因此其本征的磁手性光学性质得以完好保持。

https://doi.org/10.1002/advs.202512057

卤化铅钙钛矿蓝光发光二极管：进展、挑战与展望

本文聚焦以钙钛矿纳米晶和钙钛矿多晶薄膜两类发光层为核心的蓝光钙钛矿发光二极管研究进展。通过卤素混合与量子限域效应实现蓝光发射的路径被系统归类评述。在此基础上，深入探讨蓝光钙钛矿发光二极管面临的关键挑战，并提出未来突破这些挑战的潜在研究方向。最后，通过比较评估两类主要发光层的各自优劣，提供前瞻性展望，同时介绍新型钙钛矿结构设计及其在未来光电应用中的发展前景。

https://doi.org/10.1002/adom.202502381

采用溅射锂掺杂氧化镍与双功能自组装单层实现量子点发光二极管电荷平衡优化

本文通过调控射频溅射沉积过程中的氧分压，制备了锂掺杂氧化镍薄膜，显著提升了空穴注入层的电导率。进一步在NiO:Li薄膜表面引入4-三氟甲基苯甲酸自组装单分子层，有效降低空穴注入势垒，促进空穴高效传输。该自组装层同时被应用于量子点层表面，通过提高电子注入势垒形成电子阻挡层，从而抑制过量电子注入。经过优化的QLED器件实现了9.41%的最大外量子效率和50,199 cd/m²的峰值亮度。这些发现证明，通过协同调控电荷注入与复合动力学，可有效提升QLED器件性能，为开发高效量子点发光器件提供了新思路。

DOI: 10.1021/acsaelm.5c01793

有机间隔阳离子的选择性嵌入实现高效且光谱稳定的天蓝色准二维钙钛矿发光二极管

本研究创新性地将两种小分子配体——溴化异丁铵和盐酸苯基双胍——选择性引入CsPbBr3前驱体溶液，成功制备出具有优化域分布的准二维钙钛矿薄膜，为实现高效发光奠定基础。通过精确调控配体比例获得的天蓝色准二维钙钛矿薄膜，在实现89%高光致发光量子产率的同时，显著抑制了缺陷密度。瞬态吸收光谱分析揭示了从供体（低n值域）向发光体（高n值域）的高效能量转移过程，这正是实现强天蓝色发光的关键机制。基于优化薄膜制备的天蓝色钙钛矿发光二极管表现出卓越性能：外量子效率高达10.6%，启亮电压低至2.6V。特别值得注意的是，器件在494纳米处展现出色的光谱稳定性，半高宽仅约21纳米。本研究为开发具有理想域分布的准二维钙钛矿提供了一种简便有效的策略，为制备高效稳定的光电器件开辟了新途径。

https://doi.org/10.1002/adom.202502002

全热蒸发准二维钙钛矿发光二极管

本文通过原位缺陷钝化策略，成功制备了高亮度全热蒸发准二维钙钛矿发光二极管。通过将PEABr与CsBr和PbBr₂共蒸发构建准二维结构，并引入三苯基氧化膦以抑制低维相形成并降低缺陷密度，所制备的钙钛矿发光薄膜展现出更高的均匀性和光电质量。优化后的器件实现了127,144 cd m⁻²的创纪录亮度及7.18%的外量子效率，是目前报道的热蒸发准二维钙钛矿发光二极管中的最高性能。这一发现充分证明了热蒸发技术在大规模制备高性能钙钛矿显示技术方面的巨大潜力。

DOI: 10.1021/acsphotonics.5c02130

Pb(OH)₂前驱体与La³⁺协同掺杂：PET封装量子点薄膜实现低成本、高稳定背光显示

本研究创新性地采用环境友好型Pb(OH)₂替代传统PbBr₂铅源，在降低原材料成本近50%的同时，通过减少溴空位形成显著提升了CsPbBr₃@玻璃的光学性能。通过进一步引入La³⁺，所制备的La³⁺:CsPbBr₃@玻璃实现了光致发光量子产率从48%至86%的提升，并在严苛条件（60°C、90%相对湿度、8000尼特蓝光持续照射40天）下保持87%的发光强度，突破了稳定性瓶颈。基于此开发的CsPbBr₃&CsPbBr₁I₂@玻璃@PET光转换膜色域覆盖率达NTSC 1953标准的94.75%、Rec.2020标准的70.74%，应用于液晶显示屏时可显著提升色彩表现，为量子点薄膜技术提供了高效稳定、低成本的产业化解决方案。

https:/doi.org/10.1021/acsami.5c17962

配体空间位阻抑制钙钛矿纳米晶电致发光器件中的界面离子渗透

本文通过界面作用分析和器件截面元素分布 mapping，系统探究了不同钙钛矿/电荷传输层界面的离子穿透行为。研究发现，在钙钛矿/电荷传输层界面引入空间位阻可有效抑制卤化物离子向器件内部的渗透。通过将离子限制在钙钛矿纳米晶内部，纳米晶基PeLEDs实现了纯蓝光（473 nm）22.7%和红光（636 nm）27.8%的峰值外量子效率。值得注意的是，红光器件在初始亮度1000 cd m⁻²条件下表现出11.3小时的半衰期，印证了空间位阻屏障在纳米晶光电器件中的有效性。该阻隔策略同样适用于基于块体钙钛矿薄膜的器件。

DOI: 10.1021/acsenergylett.5c02489

面向发光二极管的稳定红光发射混合卤素钙钛矿量子点

本文采用三甲基溴硅烷作为钝化剂进行后处理以解决上述问题。该钝化剂通过抑制非辐射复合，将量子点光致发光量子产率从26.6%显著提升至98.1%。疏水性三甲基硅基团有效增强了量子点的环境稳定性，使其对空气、紫外辐射和热应力具有更强耐受性。密度泛函理论计算进一步表明，溴离子可有效钝化碘空位缺陷，而三甲基硅基团通过与未配位碘离子成键增强表面稳定性。基于这些改进，所制备的白光发光二极管表现出卓越性能：显色指数高达91.6，发光效率显著提升至70.6lm/W。该研究提出了一种简单高效的表面钝化策略，为开发高性能稳定钙钛矿量子点器件提供了新思路。

DOI: 10.1021/acs.inorgchem.5c03623

高效高导电性钙钛矿发光二极管实现低工作电压

本文提出一种协同策略：通过集成Br-2PACz自组装单分子层、致密三维钙钛矿发光层和氧化锌电子传输层构筑器件。采用磺基甜菜碱10调控结晶过程，获得陷阱密度降低的致密均匀钙钛矿薄膜。Br-2PACz界面层可同步实现界面缺陷钝化、空穴注入增强及能级调控抑制电子泄漏，而高迁移率氧化锌层则确保高效电子注入。优化后的器件开启电压低至1.9伏特，在2.5伏特工作电压下实现39000坎德拉每平方米的亮度与38.5毫安每平方厘米的电流密度。该器件峰值外量子效率达22.5%，峰值功率效率为128.7lm W–1。该策略还展现出良好扩展性：1600平方毫米大面积器件在保持均匀发光的同时，仍具有11.2%的竞争优势外量子效率。此项研究为开发高能效、低工作电压且可扩展的钙钛矿发光二极管提供了新方案。

DOI: 10.1021/acsnano.5c10266

10月【第五周】发光方向文献速览

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