飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF是东谱科技HiTran瞬态综合光电特性测量平台中的重要成员，是东谱科技源头研发产品，是业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测试商业化设备。该系统利用飞行时间法（Time-of-Flight，TOF）测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性，广泛适用于各类半导体材料，如硅基半导体第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架(MOF)、共价有机框架(COF)等。FlyTOF基于东谱科技的 MagicBox主机研制而成，配备便捷的上位机控制和数据测量软件，具有高度集成、自动化的特点，可助力客户进行快速、准确的测量。

TOF迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。相比于一些间接的迁移率测试方法，如空间电荷限制电流(SCLC)法等，TOF的方法被认为是最接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析，可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数。可以利用这些数据，结合材料的物理模型进行分析，得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。 作为TOF迁移率测试方法商业化应用的先行者，东谱科技已携手客户广泛探索了FlyTOF在有机半导体、硅基半导体、钙钛矿半导体、二维材料、共价有机框架等领域的应用，典型样品：

□ 有机半导体（NPB、MEH-PPV、PCBM）

□ 金属-有机框架（MOF）

□ 共价有机框（COF）

□ 钙钛矿材料（钙钛矿薄膜、钙钛矿粉末、钙钛矿单晶）

□ 闪烁体（碲锌镉、碲化镉）

□ 二维材料（石墨烯、二维钙钛矿薄膜）

□ 元素半导体（Si、Ge等）

□ 化合物半导体（InGaAs等）

□ 宽带隙第三代半导体（SiC、GaN）

□ 量子点半导体（硫化镉、碲化镉、钙钛矿）

□ 其它半导体材料

□ 丰富的测试条件设置功能，如电压、光强、温度、激发波长、脉冲频率、氛围等，为构建迁移率与测试条件函数提供很好的基础条件；

□ 高度集成化的特性，软件自动控制，测试快速便捷；

□ 载流子迁移率测量值覆盖10^-9~10^6 cm^2/(V.s)；

□ 专业的信号调教，电磁兼容噪声小，样品仓可视化，实时监测样品光斑照射情况；

□ 可灵活耦合不同类型激光器进行测试；

□ 快速换样装置，惰性气体氛围测试； 

□ 可实现宽温度范围的变温测试。

□ TOF瞬态光电流测量

□ 电子迁移率测量

□ 空穴迁移率测量

□ 可选变温测量

□ 可选Lateral-TOF测试功能及附件

□ 可选配TOF二维扫描（mapping）功能及附件

飞行时间法迁移率测量仪FlyTOF全面开放预约测试，可通过东谱实验室【https://www.orientalspectra.com/ProductDetail/9904808.html】，或微信公众号【东谱科技 Oriental Spectra】预约测试。