了解一下“PIN型光电二极管”-东谱科技（广州）有限责任公司

了解一下“PIN型光电二极管”

作者：东谱科技浏览：发表时间：2020-09-11 09:00:00 来源：光电资讯

定义：具有p-i-n型半导体机构的光电二极管。

PIN型光电二极管是在n型掺杂和p型掺杂中间存在本征层（i:即未掺杂的）的光电二极管。大多数光子是在本征层被吸收，然后在该处产生载流子形成光电流。在图1中，电极显示为黑色：阴极是平的电极，而阳极则是环形（其中两个相反的部分可以在交叉区域看到）。偏置电压（反向）的正极与阴极相连。在p型掺杂区域上方有抗反射涂层。

图1：p-i-n型光电二极管示意图。绿色区域为抗反射涂层

与常规的p-n型光电二极管相比，p-i-n型光电二极管具有更厚的耗尽层，能够更有效的收集载流子，因此量子效率更高，同时电容量更小，探测带宽更大。

如果波长达到约1700nm（或者光谱扩展到2600nm），可以使用InGaAs p-i-n型二极管，但是成本更高（尤其是有源区较大时）。锗p-i-n二极管也是一个选择。

最快的p-i-n光电二极管的带宽可达几十GHz。有源区直径通常在几百微米。有些这种二极管可以制作成光纤耦合的形式应用到光纤通信中作为接收器。

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