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霍尔效应测试系统

作者：东谱科技浏览：发表时间：2020-03-10 09:00:00

测量材料：

半导体薄膜，Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等。

测量参数：

体载流子浓度、表面载流子浓度；

迁移率、霍尔系数；

电阻率；

磁致电阻；

电阻的纵横比率。

实验参数：

输入电流：0.6nA ~ 200mA；

电阻率：10^-4 ~ 10⁷；

载流子浓度：10⁷ ~ 10²¹；

迁移率：1 ~ 10⁷；

磁场强度：0.5(cm2/Volt.sec)；

样品测量板：PCB & SPCB弹簧片样品板；

温度范围：78K-500K可选。

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